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DRV8305-Q1

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車載、12V バッテリ、3 相スマート・ゲート・ドライバ (グレード 0 とグレード 1)

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製品詳細

Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 4.4 Vs ABS (max) (V) 45 Features Current sense Amplifier, LDO, SPI/I2C, Smart Gate Drive, Watchdog timer Operating temperature range (°C) -40 to 150
Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 4.4 Vs ABS (max) (V) 45 Features Current sense Amplifier, LDO, SPI/I2C, Smart Gate Drive, Watchdog timer Operating temperature range (°C) -40 to 150
HTQFP (PHP) 48 81 mm² 9 x 9
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み
  • 動作時周囲温度範囲
    • 温度グレード 0 (E)：-40℃～+150℃
    • 温度グレード 1 (Q)：-40℃～+125℃
  • 4.4V～45V の動作電圧
  • 1.25A/1A のピーク・ゲート駆動電流
  • スマート・ゲート駆動アーキテクチャ (IDRIVE および TDRIVE)
  • ハイサイドおよびローサイドのスルーレート制御をプログラム可能
  • 100% デューティ・サイクルに対応するチャージ・ポンプ・ゲート・ドライバ
  • 3 つの電流シャント・アンプを内蔵
  • 50mA LDO (3.3V および 5V オプション) を内蔵
  • 最高 200kHz の 3-PWM または 6-PWM 入力制御
  • 単一 PWM モード整流機能
  • シリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI) によるデバイス設定とフォルト通知
  • 熱特性が強化された 48 ピン HTQFP
  • 保護機能
    • フォルト診断と MCU ウォッチドッグ
    • プログラム可能なデッド・タイム制御
    • MOSFET 貫通電流防止
    • MOSFET VDS 過電流監視
    • ゲート・ドライバのフォルト検出
    • バッテリ逆極性保護のサポート
    • リンプホーム・モードのサポート
    • 過熱警告およびシャットダウン
  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み
  • 動作時周囲温度範囲
    • 温度グレード 0 (E)：-40℃～+150℃
    • 温度グレード 1 (Q)：-40℃～+125℃
  • 4.4V～45V の動作電圧
  • 1.25A/1A のピーク・ゲート駆動電流
  • スマート・ゲート駆動アーキテクチャ (IDRIVE および TDRIVE)
  • ハイサイドおよびローサイドのスルーレート制御をプログラム可能
  • 100% デューティ・サイクルに対応するチャージ・ポンプ・ゲート・ドライバ
  • 3 つの電流シャント・アンプを内蔵
  • 50mA LDO (3.3V および 5V オプション) を内蔵
  • 最高 200kHz の 3-PWM または 6-PWM 入力制御
  • 単一 PWM モード整流機能
  • シリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI) によるデバイス設定とフォルト通知
  • 熱特性が強化された 48 ピン HTQFP
  • 保護機能
    • フォルト診断と MCU ウォッチドッグ
    • プログラム可能なデッド・タイム制御
    • MOSFET 貫通電流防止
    • MOSFET VDS 過電流監視
    • ゲート・ドライバのフォルト検出
    • バッテリ逆極性保護のサポート
    • リンプホーム・モードのサポート
    • 過熱警告およびシャットダウン

DRV8305-Q1 デバイスは、3 相モータ・ドライブ・アプリケーション用のゲート・ドライバ IC です。このデバイスは 3 つの高精度ハーフ・ブリッジ・ドライバを備えており、それぞれがハイサイドおよびローサイド N チャネル MOSFET を駆動できます。チャージ・ポンプ・ドライバにより、コールド・クランク状況に対応して 100% のデューティ・サイクルと低電圧動作をサポートしています。このデバイスは、最大 45V の負荷ダンプ電圧に耐えられます。

DRV8305-Q1 デバイスは、可変ゲイン設定と可変オフセット基準をサポートする高精度ローサイド電流測定のための 3 つの双方向電流シャント・アンプを内蔵しています。

DRV8305-Q1 デバイスは、MCU またはその他のシステムの電力要件をサポートするために電圧レギュレータを内蔵しています。この電圧レギュレータを LIN 物理インターフェイスで直接制御することで、システム・スタンバイおよびスリープ電流を低減できます。

ゲート・ドライバは、貫通電流を防止するためスイッチング時に自動ハンドシェイクを使用します。外部 MOSFET を過電流条件から保護するため、ハイサイドとローサイドの両方の MOSFET の VDS が正確に測定されます。SPI は詳細なフォルト通知、診断、デバイス構成 (例：電流シャント・アンプのゲイン・オプション、各 MOSFET の過電流検出、ゲート駆動のスルーレート制御) に使用できます。

デバイスの選択肢

  • DRV8305NQ：グレード 1、基準電圧付き
  • DRV83053Q：グレード 1、3.3V、50mA LDO 付き
  • DRV83055Q：グレード 1、5V、50mA LDO 付き
  • DRV8305NE：グレード 0、基準電圧付き

DRV8305-Q1 デバイスは、3 相モータ・ドライブ・アプリケーション用のゲート・ドライバ IC です。このデバイスは 3 つの高精度ハーフ・ブリッジ・ドライバを備えており、それぞれがハイサイドおよびローサイド N チャネル MOSFET を駆動できます。チャージ・ポンプ・ドライバにより、コールド・クランク状況に対応して 100% のデューティ・サイクルと低電圧動作をサポートしています。このデバイスは、最大 45V の負荷ダンプ電圧に耐えられます。

DRV8305-Q1 デバイスは、可変ゲイン設定と可変オフセット基準をサポートする高精度ローサイド電流測定のための 3 つの双方向電流シャント・アンプを内蔵しています。

DRV8305-Q1 デバイスは、MCU またはその他のシステムの電力要件をサポートするために電圧レギュレータを内蔵しています。この電圧レギュレータを LIN 物理インターフェイスで直接制御することで、システム・スタンバイおよびスリープ電流を低減できます。

ゲート・ドライバは、貫通電流を防止するためスイッチング時に自動ハンドシェイクを使用します。外部 MOSFET を過電流条件から保護するため、ハイサイドとローサイドの両方の MOSFET の VDS が正確に測定されます。SPI は詳細なフォルト通知、診断、デバイス構成 (例：電流シャント・アンプのゲイン・オプション、各 MOSFET の過電流検出、ゲート駆動のスルーレート制御) に使用できます。

デバイスの選択肢

  • DRV8305NQ：グレード 1、基準電圧付き
  • DRV83053Q：グレード 1、3.3V、50mA LDO 付き
  • DRV83055Q：グレード 1、5V、50mA LDO 付き
  • DRV8305NE：グレード 0、基準電圧付き
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技術資料

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設計および開発

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評価ボード

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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
HTQFP (PHP) 48 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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