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LM5102

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8V UVLO とプログラマブル遅延機能搭載、2A、100V、ハーフブリッジ ゲート ドライバ

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製品詳細

Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1.8 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1.8 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
WSON (DPR) 10 16 mm² (4 mm × 4 mm) VSSOP (DGS) 10 14.7 mm² (3 mm × 4.9 mm)
  • ハイサイドとローサイド両方のNチャネルMOSFETを駆動
  • ハイサイドとローサイドの立ち上がりエッジ遅延時間を独立してプログラミング可能
  • ブートストラップ電源電圧範囲：最大118V DC
  • 高速ターンオフ伝搬遅延（標準25ns）
  • 15nsの立ち上がり/立ち下がり時間で1000pFの負荷を駆動
  • 電源レールの低電圧誤動作防止
  • 低消費電力
  • シーケンスの途中でタイマを終了可能

アプリケーション

  • 電流供給プッシュプル・パワー・コンバータ
  • ハーフ/フルブリッジのパワー・コンバータ
  • 同期降圧コンバータ
  • 2スイッチのフォワード・パワー・コンバータ
  • アクティブ・クランプ型フォワード・コンバータ

All trademarks are the property of their respective owners.

  • ハイサイドとローサイド両方のNチャネルMOSFETを駆動
  • ハイサイドとローサイドの立ち上がりエッジ遅延時間を独立してプログラミング可能
  • ブートストラップ電源電圧範囲：最大118V DC
  • 高速ターンオフ伝搬遅延（標準25ns）
  • 15nsの立ち上がり/立ち下がり時間で1000pFの負荷を駆動
  • 電源レールの低電圧誤動作防止
  • 低消費電力
  • シーケンスの途中でタイマを終了可能

アプリケーション

  • 電流供給プッシュプル・パワー・コンバータ
  • ハーフ/フルブリッジのパワー・コンバータ
  • 同期降圧コンバータ
  • 2スイッチのフォワード・パワー・コンバータ
  • アクティブ・クランプ型フォワード・コンバータ

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LM5102は、同期降圧型またはハーフブリッジの構成においてハイサイドとローサイド両方のNチャネルMOSFETを駆動するよう設計された、高電圧ゲート・ドライバです。フローティング・ハイサイド・ドライバは、最大100Vの電源電圧で動作できます。各出力は、それぞれ独立に制御されます。プログラミング抵抗を使用して、各出力の立ち上がりエッジを独立して遅延させることができます。ハイサイド・ゲート・ドライバのブートストラップ・コンデンサの充電用に高電圧ダイオードを内蔵しています。堅牢なレベル・シフタにより、消費電力を抑えながら高速で動作し、制御ロジックからハイサイド・ゲート・ドライバへのクリーンなレベル遷移を実現します。ローサイドとハイサイド両方の電源レールに低電圧誤動作防止機能が搭載されています。デバイスは標準のVSSOP 10ピンおよびWSON 10ピン・パッケージで供給されます。

LM5102は、同期降圧型またはハーフブリッジの構成においてハイサイドとローサイド両方のNチャネルMOSFETを駆動するよう設計された、高電圧ゲート・ドライバです。フローティング・ハイサイド・ドライバは、最大100Vの電源電圧で動作できます。各出力は、それぞれ独立に制御されます。プログラミング抵抗を使用して、各出力の立ち上がりエッジを独立して遅延させることができます。ハイサイド・ゲート・ドライバのブートストラップ・コンデンサの充電用に高電圧ダイオードを内蔵しています。堅牢なレベル・シフタにより、消費電力を抑えながら高速で動作し、制御ロジックからハイサイド・ゲート・ドライバへのクリーンなレベル遷移を実現します。ローサイドとハイサイド両方の電源レールに低電圧誤動作防止機能が搭載されています。デバイスは標準のVSSOP 10ピンおよびWSON 10ピン・パッケージで供給されます。
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技術資料

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設計と開発

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計算ツール

SNVR521 — LM51xx Schematic Review Template

サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
WSON (DPR) 10 Ultra Librarian
VSSOP (DGS) 10 Ultra Librarian
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購入と品質

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サポートとトレーニング

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