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LM74670-Q1

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車載対応、70μA ゲート ドライブ搭載、0.48V ～ 42V、ゼロ静止電流 (IQ)、理想ダイオード整流器コントローラ

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製品詳細

Vin (max) (V) 42 Vin (min) (V) 0.48 FET External single FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Automotive load dump compatibility, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 250 Iq (typ) (mA) 0 Iq (max) (mA) 0 IGate source (typ) (µA) 70 IGate source (max) (µA) 67 IGate sink (typ) (mA) 0.07 IGate pulsed (typ) (A) 0.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 IReverse (typ) (µA) 110 VSense reverse (typ) (mV) 20 Design support EVM, Reference Design, Simulation Model VGS (max) (V) 2.5 Product type Ideal diode controller
Vin (max) (V) 42 Vin (min) (V) 0.48 FET External single FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Automotive load dump compatibility, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 250 Iq (typ) (mA) 0 Iq (max) (mA) 0 IGate source (typ) (µA) 70 IGate source (max) (µA) 67 IGate sink (typ) (mA) 0.07 IGate pulsed (typ) (A) 0.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 IReverse (typ) (µA) 110 VSense reverse (typ) (mV) 20 Design support EVM, Reference Design, Simulation Model VGS (max) (V) 2.5 Product type Ideal diode controller
VSSOP (DGK) 8 14.7 mm² (3 mm × 4.9 mm)
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Device Temperature Grade 1: –40°C to +125°C Ambient Operating Temperature Range
    • Exceeds HBM ESD Classification Level 2
    • Device CDM ESD Classification Level C4B
  • Peak Input AC Voltage: 42 V
  • Zero IQ
  • Charge Pump Gate Driver for external N-Channel MOSFET
  • Low Forward-Voltage Drop and Less Power Dissipation Compared to Schottky Diode
  • Capable of handling AC signal up to 300-Hz Frequency
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Device Temperature Grade 1: –40°C to +125°C Ambient Operating Temperature Range
    • Exceeds HBM ESD Classification Level 2
    • Device CDM ESD Classification Level C4B
  • Peak Input AC Voltage: 42 V
  • Zero IQ
  • Charge Pump Gate Driver for external N-Channel MOSFET
  • Low Forward-Voltage Drop and Less Power Dissipation Compared to Schottky Diode
  • Capable of handling AC signal up to 300-Hz Frequency

The LM74670-Q1 is a controller device that can be used with an N-Channel MOSFET in full or half bridge rectifier architectures for alternators. It is designed to drive an external MOSFET to emulate an ideal diode. A unique advantage of this scheme is that it is not ground referenced, thus it has zero IQ. The schottky diodes in full or half bridge rectifiers and alternators can be replaced with the LM74670-Q1 solution to avoid forward conduction diode losses and produce more efficient AC-DC converters.

The LM74670-Q1 controller provides a gate drive for external N-Channel MOSFET and a fast response internal comparator to pull-down the MOSFET Gate in the event of reverse polarity. This device can support an AC signal frequency up to 300Hz.

The LM74670-Q1 is a controller device that can be used with an N-Channel MOSFET in full or half bridge rectifier architectures for alternators. It is designed to drive an external MOSFET to emulate an ideal diode. A unique advantage of this scheme is that it is not ground referenced, thus it has zero IQ. The schottky diodes in full or half bridge rectifiers and alternators can be replaced with the LM74670-Q1 solution to avoid forward conduction diode losses and produce more efficient AC-DC converters.

The LM74670-Q1 controller provides a gate drive for external N-Channel MOSFET and a fast response internal comparator to pull-down the MOSFET Gate in the event of reverse polarity. This device can support an AC signal frequency up to 300Hz.

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* データシート LM74670-Q1 Zero IQ Smart Diode Rectifier Controller データシート (Rev. A) PDF | HTML 2015/10/27
e-Book（PDF） 11 Ways to Protect Your Power Path（英語） 英語版 2020/10/30

設計と開発

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制限：
??asset.out-of-stock-ti_ja_JP??
入手不可
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