パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 SOIC (D) | 8 |
| 動作温度範囲 (℃) -55 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 250 | SMALL T&R |
SN55HVD233-SEP の特徴
- VID V62/18617
- 放射線耐性を強化
- 単一イベント・ラッチアップ(SEL)耐性：125°Cで43MeV-cm2/mgまで
- 30krad(Si)までELDRSフリー
- 20krad(Si)まで、すべてのウェハー・ロットについて吸収線量(TID) RLAT
- 宇宙向けに強化されたプラスチック
- 管理されたベースライン
- 金線
- NiPdAuリード仕上げ
- 単一のアセンブリ/テスト施設
- 単一の製造施設
- 軍用温度範囲(-55℃～125℃)で利用可能
- 長期にわたる製品ライフ・サイクル
- 長期にわたる製品変更通知
- 製品のトレーサビリティ
- モールド・コンパウンドの改良による低いガス放出
- ISO 11898-2準拠
- バス・ピンのフォルト保護: ±16V超
- バス・ピンの ESD 保護：±14kV 超、HBM
- データレート: 最大1Mbps
- 広い同相電圧範囲: －7V～12V
- 高い入力インピーダンスにより120ノードが可能
- LVTTL I/Oは5V許容
- ドライバ出力電圧の遷移時間制御による信号品質の向上
- 電力オフのノードはバスに不干渉
- 低電流のスタンバイ・モード： 200µA (標準値)
- 診断用ループバック機能
- サーマル・シャットダウン保護機能
- グリッチ・フリーのバス入力および出力による電源オンおよびオフ
- 高い入力インピーダンスと低いVCC
- 電源サイクル中のモノリシック出力
SN55HVD233-SEP に関する概要
SN55HVD233-SEP は、ISO 11898 規格に準拠したコントローラ・エリア・ネットワーク (CAN) シリアル通信物理層を採用しているアプリケーションで使用されます。この CAN トランシーバは、最大 1Mbps の信号速度で、差動 CAN バスと CAN コントローラの間の送受信を実行する機能を備えています。
SN55HVD233-SEP は、特に厳しい放射線環境向けに設計されているため、±16V までのクロスワイヤ保護、過電圧保護、および接地損失保護といった機能のほか、過熱 (サーマル・シャットダウン) 保護機能も搭載しています。また、－7V～12Vの広い同相電圧範囲で動作します。このトランシーバは、マイクロプロセッサ、FPGA、またはASIC上のホストCANコントローラと、衛星アプリケーションで使用される差動CANバスとの間のインターフェイスになります。
モード： SN55HVD233-SEP の RS (ピン 8) を使用して、高速、勾配制御、および低消費電力スタンバイ・モードの 3 つの動作モードを選択できます。ピン8を直接グランドに接続して高速モードの動作を選択すると、立ち上がり/立ち下がり勾配の制限なしに、ドライバ出力トランジスタが可能な限り高速にオン/オフのスイッチングを実行できます。立ち上がり/立ち下がり勾配はピンの出力電流に比例するため、この勾配はピン8とグランドの間に抵抗を接続することにより調整できます。抵抗値 0Ω で勾配制御を実装した場合、シングルエンド・スルーレートは約 38V/µs となり、50kΩ までの抵抗値では約 4V/µs のスルーレートが得られます。勾配制御の詳細については、アプリケーションと実装セクションを参照してください。
SN55HVD233-SEP は、ピン 8 に HIGH ロジック・レベルが印加されると、低電流のスタンバイ (リッスンのみ) モードへ移行し、このモードでは、ドライバのスイッチがオフになり、レシーバはアクティブのまま保持されます。ローカル・プロトコル・コントローラがバスへメッセージを送信する必要がある場合は、この低電流スタンバイ・モードを元に戻す必要があります。ループバック・モードの詳細については、アプリケーション情報セクションを参照してください。
ループバック： SN55HVD233-SEP のループバック LBK ピン 5 がロジック HIGH になると、バス出力とバス入力が高インピーダンス状態になります。残りの回路はアクティブに維持され、ドライバからレシーバへのループバックに利用可能なため、バスに干渉することなく自己診断ノード機能に使用できます。
CANバスの状態: デバイスの通電動作中、CANバスにはドミナントとリセッシブという2つの状態があります。ドミナント・バス状態とは、バスが差動で駆動される場合をいい、DおよびRピンがLOWになります。リセッシブ・バス状態とは、バスがVCC/2に、レシーバの高抵抗の内部入力抵抗RINによりバイアスされる場合をいい、DおよびRピンがHIGHになります(バスの状態(物理的ビット表現)およびリセッシブ同相バイアスとレシーバの概略図を参照)。