データシート
SN74CB3Q3257
- 高帯域幅のデータ パス (最高最大 500MHz)
- デバイスの電源オン時とオフ時の両方で 5V 許容の I/O
- 動作範囲全体にわたって小さく平坦なオン抵抗 (ron) 特性 (標準値 ron = 4Ω)
- データ I/O ポートのレール ツー レール スイッチング
- VCC = 3.3V で 0～5V のスイッチング
- VCC = 2.5V で 0～3.3V のスイッチング
- 伝播遅延がゼロに近い双方向データ フロー
- 低い入力および出力容量により負荷および信号歪みが最小化 (標準値 Cio(OFF) = 3.5pF)
- 高いスイッチング周波数 (最大値 fOE = 20MHz)
- データおよび制御入力にアンダーシュート クランプ ダイオードを搭載
- 低消費電力 (ICC = 0.7mA、標準値)
- 2.3V～3.6V の範囲の VCC で動作
- データ I/O は 0～5V の信号レベルに対応 (0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
- 制御入力は、TTL または 5V および 3.3V CMOS 出力で駆動可能
- Ioff により部分的パワーダウン モード動作をサポート
- JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
- ESD 性能は JESD 22 に準拠しテスト済み
- 人体モデルで 2000V (A114-B、クラス II)
- 荷電デバイス モデルで 1000V (C101)
- デジタルとアナログの両方のアプリケーションに対応：USB インターフェイス、差動信号インターフェイス、バス絶縁、低歪み信号ゲーティング (1)
(1)CB3Q ファミリの性能特性の詳細については、TI のアプリケーション レポート『CBT-C、CB3T、および CB3Q シグナル スイッチ ファミリ』を参照してください。
SN74CB3Q3257 デバイスは高帯域の FET バス スイッチで、チャージ ポンプを使用してパス トランジスタのゲート電圧を上昇させ、低い平坦なオン抵抗 (ron) を実現します。
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技術資料
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| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | SN74CB3Q3257 4ビット、1:2 FET マルチプレクサ / デマルチプレクサ、 2.5V/3.3V 低電圧高帯域バス スイッチ データシート (Rev. E 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.E) | PDF | HTML | 2024/12/27 |
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SSOP (DBQ) | 16 | Ultra Librarian |
| TVSOP (DGV) | 16 | Ultra Librarian |
| TSSOP (PW) | 16 | Ultra Librarian |
| VQFN (RGY) | 16 | Ultra Librarian |
購入と品質
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