パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 SOIC (D) | 8 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 85 |
| パッケージ数量 | キャリア 75 | TUBE |
TLE2021 の特徴
- 消費電流：300µA、最大値
- 高いユニティ ゲイン帯域幅：2MHz
- 高いスルーレート：0.65V/µs
- 5V 単一電源と ±15V の両方で動作が規定されています
- 位相反転保護
- 高いオープン ループ ゲイン：6.5V/µV (136dB)
- 低いオフセット電圧：100µV、最大値
- 低い入力バイアス電流：50nA、最大値
- 低いノイズ電圧：19nV/√Hz
TLE2021 に関する概要
TLE2021、TLE2022、TLE2024 (TLE202x) デバイスは、テキサス インスツルメンツの最新のバイポーラ プロセスを使用した、高精度、高速、低消費電力のオペ アンプです。これらのデバイスは、OP21 の最良の機能と、高度に改善されたスルー レートとユニティ ゲイン帯域幅を組み合わせています。
相補的バイポーラ プロセスでは、絶縁された垂直 PnP トランジスタを使用することで、類似のデバイスに比べてユニティ ゲイン帯域幅とスルー レートが大幅に向上します。
このプロセスにバイアス回路を追加すると、時間と温度の両方で非常に安定したパラメータが得られます。したがって、高精度デバイスは、温度の変化や使用年数の変化にもかかわらず、高精度デバイスのままです。
この優れた DC 性能と、負のレールを含む同相入力電圧範囲を兼ね備えた本デバイスは、単電源または分割電源構成の低レベルの信号コンディショニング アプリケーションに最適です。さらに、これらのデバイスには、位相反転保護回路が搭載されており、いずれかの入力が負の電源レールを下回っても、出力状態の予期しない変化が解消されます。
高密度システム アプリケーション向けのスモールアウトライン バージョンとチップキャリア バージョンなど、さまざまなオプションが利用可能です。
接尾辞 C のデバイスには 0℃～70℃、接尾辞 I のデバイスには -40℃～85℃、接尾辞 M のデバイスには防衛用温度範囲 -55℃～+125℃の動作がそれぞれ特性付けられています。