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TPS7H6023-SP

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耐放射線特性、QML-V、22V、ハーフブリッジ GaN ゲート ドライバ

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製品詳細

Bootstrap supply voltage (max) (V) 22 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 22 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
CFP (HBX) 48 468.72 mm² (16.74 mm × 28 mm)
  • 耐放射線特性：
    • 吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA)
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント バーンアウト (SEB)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR) の最大線エネルギー付与 (LET) に対する耐性 = 75MeV-cm2/mg
    • LET = 75MeV-cm2/mg まで、SET (シングル イベント過渡) および SEFI (シングル イベント機能割り込み) 特性を評価済み
  • ピーク ソース電流 1.3A、ピーク シンク電流 2.5A
  • 2 つの動作モード：
    • デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
    • 2 つの独立した入力
  • 独立入力モードで選択可能な入力インターロック保護
  • 分割出力は、ターンオン時間とターンオフ時間を調整可能
  • 独立入力モードでの伝搬遅延 30ns (標準値)
  • 遅延マッチング：5.5ns (標準値)
  • 耐放射線特性：
    • 吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA)
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント バーンアウト (SEB)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR) の最大線エネルギー付与 (LET) に対する耐性 = 75MeV-cm2/mg
    • LET = 75MeV-cm2/mg まで、SET (シングル イベント過渡) および SEFI (シングル イベント機能割り込み) 特性を評価済み
  • ピーク ソース電流 1.3A、ピーク シンク電流 2.5A
  • 2 つの動作モード：
    • デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
    • 2 つの独立した入力
  • 独立入力モードで選択可能な入力インターロック保護
  • 分割出力は、ターンオン時間とターンオフ時間を調整可能
  • 独立入力モードでの伝搬遅延 30ns (標準値)
  • 遅延マッチング：5.5ns (標準値)

TPS7H60x3-SP シリーズの放射線耐性保証 (RHA) 窒化ガリウム (GaN) 電界効果トランジスタ (FET) ゲート ドライバは、高周波数で高効率のアプリケーション向けに設計されています。このシリーズは、TPS7H6003-SP (200V 定格)、TPS7H6013-SP (60V 定格)、TPS7H6023-SP (22V 定格) で構成されています。本ドライバは調整可能なデッド タイム機能、30ns の小さい伝搬遅延、5.5ns のハイサイド / ローサイド マッチングを特長としています。また、これらの部品はハイサイド / ローサイド LDO を内蔵しており、電源電圧にかかわらず 5V の駆動電圧を保証します。TPS7H60x3-SP ドライバには分割ゲート出力があり、出力のターンオンとターンオフの強度を別々に調整可能な柔軟性があります。

TPS7H60x3-SP ドライバには、独立入力モード (IIM) と PWM モードの 2 つの制御入力モードがあります。IIM では、各出力が専用の入力によって制御されます。PWM モードでは、単一の入力から 2 つの補完的な出力信号が生成され、ユーザーは各エッジについてデッド タイムを調整できます。

また、ゲート ドライバは、独立入力モードでユーザーが構成可能な入力インターロックを提供し、アンチシュート スルー保護を実現します。入力インターロックにより、両方の入力が同時にオンになると、両方の出力をオンにすることはできません。ユーザーは独立入力モードでこの保護をイネーブルまたはディセーブルにするオプションを利用できるため、ドライバをさまざまなコンバータ構成で使用できます。このドライバは、ハーフブリッジとデュアル ローサイドの両方のコンバータ アプリケーションでも使用できます。

TPS7H60x3-SP シリーズの放射線耐性保証 (RHA) 窒化ガリウム (GaN) 電界効果トランジスタ (FET) ゲート ドライバは、高周波数で高効率のアプリケーション向けに設計されています。このシリーズは、TPS7H6003-SP (200V 定格)、TPS7H6013-SP (60V 定格)、TPS7H6023-SP (22V 定格) で構成されています。本ドライバは調整可能なデッド タイム機能、30ns の小さい伝搬遅延、5.5ns のハイサイド / ローサイド マッチングを特長としています。また、これらの部品はハイサイド / ローサイド LDO を内蔵しており、電源電圧にかかわらず 5V の駆動電圧を保証します。TPS7H60x3-SP ドライバには分割ゲート出力があり、出力のターンオンとターンオフの強度を別々に調整可能な柔軟性があります。

TPS7H60x3-SP ドライバには、独立入力モード (IIM) と PWM モードの 2 つの制御入力モードがあります。IIM では、各出力が専用の入力によって制御されます。PWM モードでは、単一の入力から 2 つの補完的な出力信号が生成され、ユーザーは各エッジについてデッド タイムを調整できます。

また、ゲート ドライバは、独立入力モードでユーザーが構成可能な入力インターロックを提供し、アンチシュート スルー保護を実現します。入力インターロックにより、両方の入力が同時にオンになると、両方の出力をオンにすることはできません。ユーザーは独立入力モードでこの保護をイネーブルまたはディセーブルにするオプションを利用できるため、ドライバをさまざまなコンバータ構成で使用できます。このドライバは、ハーフブリッジとデュアル ローサイドの両方のコンバータ アプリケーションでも使用できます。
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技術資料

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* データシート TPS7H60x3-SP 放射線耐性保証、1.3A、2.5A、 ハーフ ブリッジ GaN FET ゲート ドライバ データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2024/07/05
* 放射線と信頼性レポート TPS7H60X3-SP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report (Rev. A) PDF | HTML 2024/08/13
* 放射線と信頼性レポート TPS7H6023-SP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report 2024/07/01
* 放射線と信頼性レポート TPS7H60X3-SP Single-Event Effects (SEE) Report (Rev. A) PDF | HTML 2024/06/17
* SMD TPS7H6023-SP SMD 5962-22201 2024/04/30
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設計と開発

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評価ボード

TPS7H6023EVM-CVAL — TPS7H6023-SP 評価基板

TPS7H6023EVM-CVAL ユーザー ガイドでは、TPS7H6023-SP の評価基板の包括的な操作方法を記載しています。このボードは最大 14V の入力で動作し、1 個の GaN (窒化ガリウム) FET を駆動して TPS7H6023-SP の信頼性をテストすることができます。デフォルトでは、この評価基板は TPS7H6023-SP デバイスの PWM モードとの組み合わせで動作するように設定済みです。このモードでは、1 つのスイッチング信号の入力を受け入れ、補完信号を内部生成します。
ユーザー ガイド: PDF | HTML
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限：
??asset.out-of-stock-ti_ja_JP??
入手不可
評価ボード

ALPHA-3P-ADM-VA601-SPACE-AMD — AMD Versal コア XQRVC1902 ACAP と TI の耐放射線特性製品を採用した Alpha Data の ADM-VA601 キット

これは 6U の VPX フォーム ファクタで、AMD-Xilinx® Versal AI Core XQRVC1902 適応型 SoC/FPGA を提示します。ADM-VA600 は、1 個の FMC+ コネクタ、DDR4 DRAM、システム監視機能を搭載したモジュール型ボードのデザインです。主な部品は、耐放射線特性のパワー マネージメント、インターフェイス、クロック処理機能、組込みプロセッシング (-SEP) の各デバイスです。

購入先：Alpha Data Parallel Systems Ltd.
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

TPS7H60x3-SP PSpice Transient Model

SNOM790.ZIP (46 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

TPS7H60x3/TPS7H60x5 SIMPLIS Model

SNOM811.ZIP (22 KB) - SIMPLIS モデル
サポート対象の製品とハードウェア
リファレンス・デザイン

PMP23389 — 宇宙グレード、12V ～ 5V、15A 同期整流降圧コンバータのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは TPS7H5002-SP PWM コントローラを採用しており、同期整流降圧を制御して、公称 12V の入力を 5.1V の固定出力に変換し、最大 15A の負荷に対応します。TPS7H6023-SP は複数の GaN FET を駆動し、宇宙ベースのアプリケーションで信頼性の高い設計を実現します。遠隔測定と過電流保護に対応するため、出力電流が直接センスされます。このデザインは 750kHz でスイッチングを行い、30mV 未満の出力リップルで 93% を上回る効率を達成します。

サポート対象の製品とハードウェア
リファレンス・デザイン

TIDA-010958 — 耐放射線特性、デュアル 位相、Versal® FPGA 電源のリファレンス デザイン

TIDA-010958 は、耐放射線特性を強化した同期整流降圧電源のリファレンス デザインであり、AMD® Versal®AI Core XQRVC1902 のコアレール向けとして設計されています。この設計は、12V の入力での動作用となっており、0.8V の出力電圧と最大 80A の出力電流を生成します。このコンパクトな電源設計は、FPGA の厳しい許容誤差要件を満たしながら、大電流を供給します。この電源設計は、Versal® AI Core XQRVC1902 と組み合わせることで、さまざまなミッションを実行するために必要な精度、信頼性、効率を衛星に提供します。TIDA-010958 (...)
サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
CFP (HBX) 48 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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