TPS7H6200-SEP
Radiation-Tolerant 52A GaN Half-Bridge Power Stage with Low-Side Current Sense
データシート
TPS7H6200-SEP
- 50krad (Si) まで、累積線量 (TID) 特性を評価済み
- 破壊的シングル イベント効果 (DSEE) を評価済み
- シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント バーンアウト (SEB)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR) の最大線エネルギー付与 (LET) = 43MeV-cm2/mg に対する耐性
- シングル イベント効果を評価済み
- シングル イベント機能割り込み (SEFI) およびシングル イベント過渡 (SET) の最大 LET = 43MeV-cm2/mg に対する耐性
- 軍用温度 (–55℃ ～ 125℃) で供給可能
- ハイサイド FET RDSON 3.2mΩ (標準)、ローサイド FET RDSON 1mΩ
- 高効率 (VPVIN = 12V、VVOUT = 0.8V、fSW = 500kHz、TA = 25°C、L = 200nH、DCR = 180mΩ)：
- 20A 時に η = 89.6%
- 40A 時に η = 87.2%
- 52A 時に η = 84.9%
- 最大連続電流：52A
- ローサイド電流センスを内蔵
- 40A を超える公称負荷電流で 14.5% の合計 RSS 精度
- 過電流、過温度、または UVLO 検出を示す故障ピン インジケータ
- DrMOS 3.3V および 5V PWM 入力信号との互換性
- 過温度保護および過電流保護を内蔵
TPS7H6200-SEP は、ゲート ドライバを内蔵した 15V e モード GaN パワー FET で、トライステート PWM 互換、ローサイド電流センス内蔵、過温度保護、過電流保護を備えています。
GaN FET ハーフブリッジ ダイは、ハイサイドとローサイドの GaN FET を一つの基板上に統合し、寄生インダクタンスを最小限に抑えます。このデバイスはポイント オブ ロード電圧変換向けに非対称なサイズ設計となっており、ローサイドが 1mΩ、ハイサイドが 3mΩ で、一般的な入出力変換比における性能と効率を最適化しています。その結果、TPS7H6200-SEP は標準的な負荷 20A で 89.6% を上回る効率を達成できます。
技術資料
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| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | TPS7H6200-SEP 耐放射線特性、ローサイド電流検出機能搭載 52A GaN ハーフ ブリッジ電力段 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026/09/23 |
設計と開発
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評価ボード
TPS7H5101EVM — TPS7H5101-SEP 評価基板
TPS7H5101-SEP 評価基板 (EVM) は、低出力電圧で大電流負荷を想定した、2 相の D-CAP+™ 降圧コンバータです。このコントローラは、ポイント オブ ロード電源向けに 0.8V で 80A に最適化されており、2 つの TPS7H6200-SEP デバイスを使用して電力変換を達成しています。この評価基板は、D-CAP+ アーキテクチャの高度な制御機能を使用しており、小さい出力静電容量と高効率の高速過渡応答をサポートします。この評価基板は DROOP 補償を利用して、小さい出力電圧の許容誤差を満たすために、出力静電容量をさらに小さくすることができます。
在庫あり
制限：
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入手不可
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| WQFN-FCRLF (VEJ) | 49 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。