UCC27444-Q1
- 車載アプリケーション向けに認定済み
- 以下の結果で AEC-Q100 認定済み：
- デバイス温度グレード 1：-40℃～+125℃の動作時周囲温度範囲
- デバイス HBM ESD 分類レベル H2
- デバイス CDM ESD 分類レベル C6
- 各チャネルの 4A (代表値) ピーク・ソースおよびシンク駆動電流
- -5V まで扱える INA および INB 入力ピン
- 絶対最大 VDD 電圧：20V
- 広い VDD 動作範囲：4.5V～18V
- 2 つの独立したゲート駆動チャネル
- 出力ごとに独立したイネーブル機能
- 高速伝搬遅延時間：18ns (代表値)
- 高速立ち上がり / 立ち下がり時間：11ns/7ns (代表値)
- 2 チャネル間遅延マッチング：1ns (代表値)
- SOIC8 および VSSOP8 PowerPAD™ パッケージ・オプション
- 動作時の接合部温度範囲：-40℃～125℃
UCC27444-Q1 は、MOSFET および GaN パワー・スイッチを効率的に駆動するデュアルチャネル高速ローサイド・ゲート・ドライバです。UCC27444-Q1 は 4A (代表値) のピーク駆動能力を持っています。これにより、パワー・スイッチの立ち上がり / 立ち下がり時間を短縮し、スイッチング損失を低減し、効率を向上させます。本デバイスの高速伝搬遅延 (代表値 18ns) は、システムのデッドタイム最適化、パルス幅利用率、制御ループ応答、過渡性能を改善させることで出力段の効率を向上させます。
UCC27444-Q1 は、INx 入力で -5V を扱えるため、中程度のグランド・バウンスが発生するシステムの堅牢性を向上させることができます。入力をほとんどのコントローラ出力に接続できるため、制御の柔軟性を最大限に高めることができます。独立したイネーブル信号を使うと、メイン制御ロジックとは無関係に電力段を制御できます。システム障害が発生した場合、イネーブル・ローにすることで、ゲート・ドライバを迅速にシャットオフできます。多くの高周波スイッチング電源では、電源デバイスのゲートにノイズを生じさせます。このノイズがゲート・ドライバの出力ピンに注入され、ドライバを誤動作させる可能性があります。本デバイスは、過渡逆電流と逆電圧への対応能力があるため、電源デバイスやパルス変圧器のゲートのノイズが許容され、ドライバの誤動作を防止できます。
UCC27444-Q1 は、低電圧動作とパワーオン・リセット (POR) 機能も搭載しており、システムの堅牢性が向上します。パワー・デバイスの動作に十分なバイアス電圧がない場合は、強力な内部プルダウン MOSFET によってゲート・ドライバの出力が LOW に保持されます。
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技術資料
設計と開発
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UCC27423-4-5-Q1EVM — UCC2742xQ1、デュアル、4A、高速ローサイド MOSFET ドライバ、イネーブル付き評価基板 (EVM)
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| HVSSOP (DGN) | 8 | Ultra Librarian |
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。