전력 관리 MOSFET

CSD25483F4

활성

-20V, P 채널 NexFET™ 전원 MOSFET, 싱글 LGA 0.6mm x 1mm, 245mOhm, 게이트 ESD 보호

제품 상세 정보

VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 245 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 390 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 0.96 QGD (typ) (nC) 0.16 QGS (typ) (nC) 0.25 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 245 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 390 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 0.96 QGD (typ) (nC) 0.16 QGS (typ) (nC) 0.25 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² 1.035 x 0.635
  • Ultra-low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • High operating drain current
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • Maximum height: 0.36-mm
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Ultra-low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • High operating drain current
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • Maximum height: 0.36-mm
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 210-mΩ, 20-V P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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This 210-mΩ, 20-V P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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기술 자료

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* Data sheet CSD25483F4 20-V P-Channel FemtoFET™ MOSFET datasheet (Rev. F) PDF | HTML 2022/03/10
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 2025/10/31
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Application note Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024/03/25
Application note Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023/12/18
Application note Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023/12/14
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Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022/05/31
More literature WCSP Handling Guide 2019/11/07
Design guide FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016/07/07

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

지원 소프트웨어

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

시뮬레이션 모델

CSD25483F4 TINA-TI Spice Model

SLPM239.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
시뮬레이션 모델

CSD25483F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM090B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
레퍼런스 디자인

PMP40294 — 양방향 배터리 전원 시스템 + USB A 5V2A 출력 레퍼런스 디자인

PMP40294 레퍼런스 설계는 점점 더 많은 충전 및 방전 전력을 필요로 하는 고용량 배터리 팩을 위해 설계되었습니다. 모든 어댑터에서 넓은 입력 전압(5~20V)을 지원하고 3S 배터리 팩에 최대 3A의 최대 충전 전류를 공급할 수 있습니다. 양방향 벅-부스트 컨트롤러 BQ25703A를 채택하면 전력 스트림이 동일한 전력계에서 양방향으로 흐를 수 있습니다. 역방향 모드에서는 배터리에서 포트로 5/9/12/14.5/15/16/19/20V 3A를 공급할 수 있습니다. 디지털 프로그래밍 기능은 더욱 확장된 기능도 제공합니다.  
Test report: PDF
회로도: PDF
레퍼런스 디자인

PMP40069 — 5~20Vin 3셀 배터리 충전기가 장착된 휴대용 DLP Pico 프로젝터 레퍼런스 디자인

PMP40069는 휴대용 DLP Pico 프로젝터를 위한 레퍼런스 설계이며 3셀 배터리 충전기도 있습니다.  어댑터를 사용할 수 없는 경우 배터리로 프로젝터에 전원을 공급합니다. 이 솔루션은 DLPA3000 PMIC/LED 드라이버, DLPC3438 디스플레이 컨트롤러, SMBus 배터리 벅-부스트 충전 컨트롤러 BQ25700A를 구현합니다. DLPA3000 PMIC는 완전 통합형 전용 PMIC/LED 드라이버로, 모든 시스템 아날로그 전원 요구 사항을 충족하며 0~6A RGB LED를 구동할 수 있습니다. 벅-부스트 충전기는 (...)
Test report: PDF
회로도: PDF
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
PICOSTAR (YJC) 3 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

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