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LM5109B

활성

8V UVLO 및 높은 잡음 내구성을 지원하는 1A, 100V 하프 브리지 게이트 드라이버

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LM2101 활성 8V UVLO를 지원하는 107V, 0.5A/0.8A 하프브리지 게이트 드라이버 Newer device with similar electrical characteristics

LM5109B

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제품 상세 정보

Bootstrap supply voltage (max) (V) 90 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
Bootstrap supply voltage (max) (V) 90 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) WSON (NGT) 8 16 mm² (4 mm × 4 mm)
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET
  • 1-A Peak Output Current (1.0-A Sink and 1.0-A Source)
  • Inputs Compatible With Independent TTL and CMOS
  • Bootstrap Supply Voltage to 108-V DC
  • Fast Propagation Times (30 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 15-ns Rise and Fall Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (2 ns Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • 8-Pin SOIC and Thermally-Enhanced 8-Pin WSON Package
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET
  • 1-A Peak Output Current (1.0-A Sink and 1.0-A Source)
  • Inputs Compatible With Independent TTL and CMOS
  • Bootstrap Supply Voltage to 108-V DC
  • Fast Propagation Times (30 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 15-ns Rise and Fall Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (2 ns Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • 8-Pin SOIC and Thermally-Enhanced 8-Pin WSON Package

The LM5109B device is a cost-effective, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 90 V. The outputs are independently controlled with cost-effective TTL and CMOS-compatible input thresholds. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. The device is available in the 8-pin SOIC and thermally-enhanced 8-pin WSON packages.

The LM5109B device is a cost-effective, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 90 V. The outputs are independently controlled with cost-effective TTL and CMOS-compatible input thresholds. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. The device is available in the 8-pin SOIC and thermally-enhanced 8-pin WSON packages.
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기술 자료

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* 데이터 시트 LM5109B High Voltage 1-A Peak Half-Bridge Gate Driver datasheet (Rev. C) PDF | HTML 2015. 10. 15
애플리케이션 노트 Applying Non-isolated Gate Drivers in Your Home Tool and Accessory Designs PDF | HTML 2025. 5. 16
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애플리케이션 노트 Comparative Analysis of Two Different Methods for Gate-Drive Current Boosting (Rev. A) PDF | HTML 2022. 2. 17
애플리케이션 노트 Voltage Fed Full Bridge DC-DC & DC-AC Converter High-Freq Inverter Using C2000 (Rev. D) 2021. 4. 7
애플리케이션 노트 Implementing High-Side Switches Using Half-Bridge Gate Drivers for 48-V Battery. 2020. 5. 12
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020. 2. 28
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020. 2. 28
Application brief Small Price Competitive 100-V Driver for 48-V BLDC Motor Drives 2019. 10. 22
애플리케이션 노트 Maximizing DC/DC converter designs with UCC27282 2019. 1. 18
애플리케이션 노트 UCC27282 Improving motor drive system robustness 2019. 1. 11
추가 자료 Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 2018. 10. 29
기술 문서 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse PDF | HTML 2018. 9. 19
기술 문서 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadti PDF | HTML 2018. 5. 30
애플리케이션 노트 AN-1317 Selection of External Bootstrap Diode for LM510X Devices (Rev. B) 2018. 5. 4
기술 문서 The story of motor-drive integration PDF | HTML 2017. 1. 9

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

LM2105EVM — 일체형 부트스트랩 다이오드가 들어 있는 105V 하프브리지 드라이버용 LM2105 평가 모듈

LM2105 평가 모듈(EVM)은 LM2105 성능을 평가하기 위한 플랫폼입니다. LM2105는 두 개의 N채널 MOSFET(금속-옥사이드-반도체 전계 효과 트랜지스터)을 구동하기 위한 0.5A 피크 소스 및 0.8A 싱크 전류를 지원하는 105V, 부트 전압, 고압측, 저압측 드라이버입니다. 지원되는 패키지에서 핀 대 핀 호환 부품을 평가하는 데 동일한 보드를 사용할 수 있습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

LM5109B PSpice Transient Model

SNVMAM7.ZIP (75 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
시뮬레이션 모델

LM5109B Unencrypted PSpice Transient Model

SNVMAM8.ZIP (3 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
계산 툴

SNVR521 — LM51xx Schematic Review Template

지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

TIDM-DC-DC-BUCK — 디지털 제어가 가능한 비절연 DC/DC 벅 컨버터 레퍼런스 디자인

The purpose of this design is to demonstrate digital power control using a C2000™ microcontroller and evaluate the powerSUITE Digital Power software tools. The design consists of two separate boards:

지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
WSON (NGT) 8 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

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