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LM2101

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8V UVLO를 지원하는 107V, 0.5A/0.8A 하프브리지 게이트 드라이버

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제품 상세 정보

Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 0.65 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Fall time (ns) 18 Iq (mA) 0.0333 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Noninverting Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual inputs
Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 0.65 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Fall time (ns) 18 Iq (mA) 0.0333 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Noninverting Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual inputs
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 WSON (DSG) 8 4 mm² 2 x 2
  • Drives two N-channel MOSFETs in half-bridge configuration
  • 8-V typical undervoltage lockout on GVDD
  • 107-V absolute maximum voltage on BST
  • –19.5-V absolute maximum negative transient voltage handling on SH
  • 0.5-A/0.8-A peak source/sink currents
  • 115-ns typical propagation delay
  • Drives two N-channel MOSFETs in half-bridge configuration
  • 8-V typical undervoltage lockout on GVDD
  • 107-V absolute maximum voltage on BST
  • –19.5-V absolute maximum negative transient voltage handling on SH
  • 0.5-A/0.8-A peak source/sink currents
  • 115-ns typical propagation delay

The LM2101 is a compact, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration.

The –1-V DC and –19.5-V transient negative voltage handling on the SH pin improve the system robustness in high noise applications. The small, thermally-enhanced 8-pin WSON package improves PCB layout by allowing the driver to be placed closer to the motor phases. The LM2101 is also available in an 8-pin SOIC package compatible with industry standard pinouts. Undervoltage lockout (UVLO) is provided on both the low-side and the high-side power rails for protection during power up and power down.

The LM2101 is a compact, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration.

The –1-V DC and –19.5-V transient negative voltage handling on the SH pin improve the system robustness in high noise applications. The small, thermally-enhanced 8-pin WSON package improves PCB layout by allowing the driver to be placed closer to the motor phases. The LM2101 is also available in an 8-pin SOIC package compatible with industry standard pinouts. Undervoltage lockout (UVLO) is provided on both the low-side and the high-side power rails for protection during power up and power down.
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유형 직함 날짜
* Data sheet LM2101 107-V, 0.5-A, 0.8-A Half-Bridge Driver with 8-V UVLO datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2023/09/08
Application note How to Choose a Gate Driver for DC Motor Drives PDF | HTML 2023/10/05

설계 및 개발

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평가 보드

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사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
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PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

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요청
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
WSON (DSG) 8 Ultra Librarian
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주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

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