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LM2101

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8V UVLO를 지원하는 107V, 0.5A/0.8A 하프브리지 게이트 드라이버

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제품 상세 정보

Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 0.65 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Fall time (ns) 18 Iq (mA) 0.0333 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Noninverting Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual inputs
Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 0.65 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Fall time (ns) 18 Iq (mA) 0.0333 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Noninverting Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual inputs
WSON (DSG) 8 4 mm² (2 mm × 2 mm) SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • Drives two N-channel MOSFETs in half-bridge configuration
  • 8-V typical undervoltage lockout on GVDD
  • 107-V absolute maximum voltage on BST
  • –19.5-V absolute maximum negative transient voltage handling on SH
  • 0.5-A/0.8-A peak source/sink currents
  • 115-ns typical propagation delay
  • Drives two N-channel MOSFETs in half-bridge configuration
  • 8-V typical undervoltage lockout on GVDD
  • 107-V absolute maximum voltage on BST
  • –19.5-V absolute maximum negative transient voltage handling on SH
  • 0.5-A/0.8-A peak source/sink currents
  • 115-ns typical propagation delay

The LM2101 is a compact, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration.

The –1-V DC and –19.5-V transient negative voltage handling on the SH pin improve the system robustness in high noise applications. The small, thermally-enhanced 8-pin WSON package improves PCB layout by allowing the driver to be placed closer to the motor phases. The LM2101 is also available in an 8-pin SOIC package compatible with industry standard pinouts. Undervoltage lockout (UVLO) is provided on both the low-side and the high-side power rails for protection during power up and power down.

The LM2101 is a compact, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration.

The –1-V DC and –19.5-V transient negative voltage handling on the SH pin improve the system robustness in high noise applications. The small, thermally-enhanced 8-pin WSON package improves PCB layout by allowing the driver to be placed closer to the motor phases. The LM2101 is also available in an 8-pin SOIC package compatible with industry standard pinouts. Undervoltage lockout (UVLO) is provided on both the low-side and the high-side power rails for protection during power up and power down.
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설계 및 개발

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평가 보드

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LM2105 평가 모듈(EVM)은 LM2105 성능을 평가하기 위한 플랫폼입니다. LM2105는 두 개의 N채널 MOSFET(금속-옥사이드-반도체 전계 효과 트랜지스터)을 구동하기 위한 0.5A 피크 소스 및 0.8A 싱크 전류를 지원하는 105V, 부트 전압, 고압측, 저압측 드라이버입니다. 지원되는 패키지에서 핀 대 핀 호환 부품을 평가하는 데 동일한 보드를 사용할 수 있습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
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이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

LM2101 PSpice Model (Rev. A)

SNVMCE4A.ZIP (557 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
계산 툴

LM2X0X-CALC — LM2x0x 회로도 검토 템플릿

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패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
WSON (DSG) 8 Ultra Librarian
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
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