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UCC21222-Q1

활성

비활성화, 프로그래머블 데드 타임 및 8V UVLO를 지원하는 오토모티브 3.0kVrms, 4A/6A, 2채널 절연 게이트 드라이버

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신규 UCC21330-Q1 활성 Automotive, 3kVRMS 4A/6A two-channel gate driver with enable logic and programmable deadtime Improved CMTI, faster VDD startup

UCC21222-Q1

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제품 상세 정보

Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
SOIC (D) 16 59.4 mm² 9.9 x 6
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • AEC Q100 qualified with:
    • Device temperature grade 1
    • Device HBM ESD classification level H2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • Junction temperature range –40°C to 150°C
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V VDD UVLO
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast disable for power sequencing
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • AEC Q100 qualified with:
    • Device temperature grade 1
    • Device HBM ESD classification level H2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • Junction temperature range –40°C to 150°C
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V VDD UVLO
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast disable for power sequencing

The UCC21222-Q1 device is an isolated dual channel gate driver with programmable dead time and a wide temperature range. This device exhibits consistent performance and robustness under extreme temperature conditions. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, IGBT, and GaN transistors.

The UCC21222-Q1 device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. A 5ns delay matching performance allows two outputs to be paralleled, doubling the drive strength for heavy load conditions without risk of internal shoot-through.

The input side is isolated from the two output drivers by a 3.0kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Resistor programmable dead time gives the capability to adjust dead time for system constraints to improve efficiency and prevent output overlap. Other protection features include a disable feature to shut down both outputs simultaneously when DIS is set high, an integrated deglitch filter that rejects input transients shorter than 5ns, and negative voltage handling for up to –2V spikes for 200ns on input and output pins. All supplies have UVLO protection.

The UCC21222-Q1 device is an isolated dual channel gate driver with programmable dead time and a wide temperature range. This device exhibits consistent performance and robustness under extreme temperature conditions. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, IGBT, and GaN transistors.

The UCC21222-Q1 device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. A 5ns delay matching performance allows two outputs to be paralleled, doubling the drive strength for heavy load conditions without risk of internal shoot-through.

The input side is isolated from the two output drivers by a 3.0kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Resistor programmable dead time gives the capability to adjust dead time for system constraints to improve efficiency and prevent output overlap. Other protection features include a disable feature to shut down both outputs simultaneously when DIS is set high, an integrated deglitch filter that rejects input transients shorter than 5ns, and negative voltage handling for up to –2V spikes for 200ns on input and output pins. All supplies have UVLO protection.
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시뮬레이션 모델

UCC21222-Q1 PSpice Transient Model

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레퍼런스 디자인

PMP22650 — GaN 기반, 6.6kW, 양방향, 온보드 충전기 레퍼런스 디자인

PMP22650 레퍼런스 설계는 6.6kW 양방향 온보드 충전기입니다. 이 설계에서는 2상 토템 폴 PFC와 동기 정류를 지원하는 풀 브리지 CLLLC 컨버터를 사용합니다. CLLLC은 주파수 및 위상 변조를 모두 활용하여 필요한 조정 범위 전반에 걸쳐 출력을 조정합니다. 이 설계에서는 TMS320F28388D 마이크로컨트롤러 내부의 단일 프로세싱 코어를 사용하여 PFC 및 CLLLC를 모두 제어합니다. 동기 정류는 로고우스키(Rogowski) 코일 전류 센서가 탑재된 동일한 마이크로컨트롤러를 통해 구현됩니다. 고속 GaN (...)
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SOIC (D) 16 옵션 보기
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포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

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