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UCC21222-Q1

활성

Automotive Basic, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ disable, programmable deadtime

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UCC21330-Q1 활성 Automotive Basic, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ disable, programmable deadtime Improved CMTI, faster VDD startup

UCC21222-Q1

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제품 상세 정보

Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch IGBT, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 700 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch IGBT, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 700 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (D) 16 59.4 mm² (9.9 mm × 6 mm)
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • AEC Q100 qualified with:
    • Device temperature grade 1
    • Device HBM ESD classification level H2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • Junction temperature range –40°C to 150°C
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V VDD UVLO
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast disable for power sequencing
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • AEC Q100 qualified with:
    • Device temperature grade 1
    • Device HBM ESD classification level H2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • Junction temperature range –40°C to 150°C
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V VDD UVLO
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast disable for power sequencing

The UCC21222-Q1 device is an isolated dual channel gate driver with programmable dead time and a wide temperature range. This device exhibits consistent performance and robustness under extreme temperature conditions. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, IGBT, and GaN transistors.

The UCC21222-Q1 device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. A 5ns delay matching performance allows two outputs to be paralleled, doubling the drive strength for heavy load conditions without risk of internal shoot-through.

The input side is isolated from the two output drivers by a 3.0kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Resistor programmable dead time gives the capability to adjust dead time for system constraints to improve efficiency and prevent output overlap. Other protection features include a disable feature to shut down both outputs simultaneously when DIS is set high, an integrated deglitch filter that rejects input transients shorter than 5ns, and negative voltage handling for up to –2V spikes for 200ns on input and output pins. All supplies have UVLO protection.

The UCC21222-Q1 device is an isolated dual channel gate driver with programmable dead time and a wide temperature range. This device exhibits consistent performance and robustness under extreme temperature conditions. It is designed with 4A peak-source and 6A peak-sink current to drive power MOSFET, IGBT, and GaN transistors.

The UCC21222-Q1 device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. A 5ns delay matching performance allows two outputs to be paralleled, doubling the drive strength for heavy load conditions without risk of internal shoot-through.

The input side is isolated from the two output drivers by a 3.0kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Resistor programmable dead time gives the capability to adjust dead time for system constraints to improve efficiency and prevent output overlap. Other protection features include a disable feature to shut down both outputs simultaneously when DIS is set high, an integrated deglitch filter that rejects input transients shorter than 5ns, and negative voltage handling for up to –2V spikes for 200ns on input and output pins. All supplies have UVLO protection.
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* 데이터 시트 UCC21222-Q1 Automotive 4A, 6A, 3kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver with Dead Time datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2024. 4. 2
* 사용 설명서 Gate Drive Voltage vs. Efficiency 2019. 4. 25
인증서 VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AA) 2026. 6. 11
백서 신뢰할 수 있는 합리적 가격대의 절 연 기술 개발과 관련한 고전압 설계 문제의 해결 PDF | HTML 2026. 5. 28
기능 안전 정보 UCC21222-Q1 and UCC21330-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA (Rev. B) PDF | HTML 2025. 1. 30
애플리케이션 노트 Impact of Narrow Pulse Widths in Gate Driver Circuits (Rev. A) PDF | HTML 2024. 1. 25
인증서 UCC21220 CQC Certificate of Product Certification PDF | HTML 2023. 8. 16
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 2021. 12. 16
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020. 2. 28
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020. 2. 28
인증서 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 9 (Rev. A) 2019. 7. 22
백서 Driving the future of HEV/EV with high-voltage solutions (Rev. B) 2018. 5. 16
애플리케이션 노트 Isolation Glossary (Rev. A) 2017. 9. 19
기술 문서 Are you on-board? Demystifying EV charging systems PDF | HTML 2017. 7. 31

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A, 6A 3.0kVRMS 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버 평가 모듈

UCC21220EVM-009는 4.0A 소스, 6.0A 싱크 피크 전류 기능을 지원하는 3.0kVRMS 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버인 UCC21220을 평가하도록 설계되었습니다. 이 EVM은 데이터 시트를 기준으로 드라이버 IC를 평가하는 데 사용할 수 있습니다. EVM은 드라이버 IC 구성 요소 선택 가이드로 사용할 수도 있습니다. EVM을 사용하여 게이트 드라이버 성능에 대한 PCB 레이아웃의 영향을 확인할 수 있습니다.
사용 설명서: PDF
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

UCC21222-Q1 PSpice Transient Model

SLUM622.ZIP (57 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
시뮬레이션 모델

UCC21222-Q1 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM623.ZIP (3 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

PMP22650 — GaN 기반, 6.6kW, 양방향, 온보드 충전기 레퍼런스 디자인

PMP22650 레퍼런스 설계는 6.6kW 양방향 온보드 충전기입니다. 이 설계에서는 2상 토템 폴 PFC와 동기 정류를 지원하는 풀 브리지 CLLLC 컨버터를 사용합니다. CLLLC은 주파수 및 위상 변조를 모두 활용하여 필요한 조정 범위 전반에 걸쳐 출력을 조정합니다. 이 설계에서는 TMS320F28388D 마이크로컨트롤러 내부의 단일 프로세싱 코어를 사용하여 PFC 및 CLLLC를 모두 제어합니다. 동기 정류는 로고우스키(Rogowski) 코일 전류 센서가 탑재된 동일한 마이크로컨트롤러를 통해 구현됩니다. 고속 GaN (...)
지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 16 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

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