인증
UCG28846DREVM-151-DOC-CERT — UCG28846DREVM-151 EU Declaration of Conformity (DoC)
UCG28846DREVM-151 EU Declaration of Conformity (DoC)
UCG28846
- Integrated 750V GaN HEMT
- Dynamic QR/DCM/CCM modes of operation
- High Power density: Up to 500kHz switching frequency
- Enable low BoM cost by integration
- Remove auxiliary winding with self bias
- Integrated input and output voltage sensing
- Integrated current sense
- Integrated HV start-up
- Integrated X-cap discharge
- High efficiency and low EMI performance
- Ultra-low standby power: <30mW
- Frequency foldback and burst mode
- Valley locking
- Frequency dithering
- Switching slew rate control
- Comprehensive protection features
- Overtemperature protection
- Input and output overvoltage protection
- Short-circuit protection
- Cycle-by-cycle current limit
- Two-level over power protection with LPS
- Brownin and brownout protection
- Open feedback protection
- Flexible configurability through external resistors
- X-cap discharge and CCM mode disable
- Selectable switching slew rate
- Multiple clamping frequency settings
- Fault latch or auto-restart
- Maximum and minimum peak current ratio
UCG2883x/4x is a high frequency, quasi-resonant flyback converter with a built-in 750V GaN high electron mobility transistor (HEMT) with low Rds(on) for AC to DC power conversion. The UCG2883x/4x is designed for high power density applications, such as cell phone fast chargers and notebook adapters. The key feature of this device is the self-bias and auxless sensing scheme which eliminates the need of the auxiliary winding and simplifies the system design with higher efficiency.
The UCG2883x/4x also features intelligent mode transition (CCM/QR/DCM) to enable high efficiency across a wide power range and <30mW standby power consumption. In addition, UCG2883x/4x includes a full list of protections such as brownin and brownout protection, SCP, OVP, OPP, LPS, OFB, and OTP. The cycle-by-cycle current limit allows for fast response to the fault conditions to safeguard the system and improve the reliability. In a small 5mm × 5mm package, the UCG2883x/4x has dedicated configuration pins to offer more flexibility. Only resistors are needed to tune certain parameters for each system, enabling a platform design with a single device.
기술 자료
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1개 모두 보기 | 상위 문서 | 유형 | 직함 | 형식 옵션 | 날짜 |
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | UCG2883x/4x Self-Biased High Frequency QR Flyback Converter With Integrated GaN datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 2026/04/09 |
설계 및 개발
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평가 보드
UCG28846DREVM-151 — UCG28846 평가 모듈
UCG28846DREVM-151는 AC/DC 어댑터, 충전기, USB 벽면 콘센트 및 기타 애플리케이션용 오프라인 GaN 통합 반공진 플라이백 컨버터를 평가하기 위한 65W USB-C PD 평가 모듈(EVM)입니다. 이 EVM은 CoC 티어 2 및 DoE 레벨 6 효율 요구 사항을 충족합니다. 이 EVM은 평가용으로 제작된 것이며, 완제품으로 사용하기 위한 것은 아닙니다. UCG28846DREVM-151는 90VRMS~264VRMS의 입력 전압을 5VDC, 9VDC, 15VDC 또는 20VDC의 선택 가능한 USB-C PD 출력 (...)
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 16 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.