產品詳細資料

Continuous current (max) (A) 80 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 600 Rating Catalog Sensitivity (typ) (mV/mT) 25, 33, 50, 66, 75, 100, 150 Input offset current (±) (max) (mA) 30, 33, 40, 45, 130, 150, 160, 180, 200 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 200, 400, 670, 757.6, 1000, 1150, 1300, 1400, 1800, 2000 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Iq (max) (mA) 14 Small-signal bandwidth (kHz) 1000 Sensitivity error (%) 0.4 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
Continuous current (max) (A) 80 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 600 Rating Catalog Sensitivity (typ) (mV/mT) 25, 33, 50, 66, 75, 100, 150 Input offset current (±) (max) (mA) 30, 33, 40, 45, 130, 150, 160, 180, 200 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 200, 400, 670, 757.6, 1000, 1150, 1300, 1400, 1800, 2000 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Iq (max) (mA) 14 Small-signal bandwidth (kHz) 1000 Sensitivity error (%) 0.4 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
SOIC (DVG) 10 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • High continuous current capability: 80ARMS
  • Robust reinforced isolation
  • High accuracy
    • Sensitivity error: ±0.1%
    • Sensitivity thermal drift: ±20ppm/°C
    • Sensitivity lifetime drift: ±0.2%
    • Offset error: ±0.2mV
    • Offset thermal drift: ±10µV/°C
    • Offset lifetime drift: ±0.2mV
    • Non-linearity: ±0.1%
  • High immunity to external magnetic fields
  • Fast Response
    • Signal bandwidth: 1MHz
    • Response time: 120ns
    • Propagation delay: 50ns
    • Overcurrent detection response: 100ns
  • Operating supply range: 3V to 5.5V
  • Bidirectional and unidirectional current sensing
  • Multiple sensitivity options:
    • Ranging from 20mV/A to 150mV/A
  • Safety related certifications
    • UL 1577 Component Recognition Program
    • IEC/CB 62368-1
  • High continuous current capability: 80ARMS
  • Robust reinforced isolation
  • High accuracy
    • Sensitivity error: ±0.1%
    • Sensitivity thermal drift: ±20ppm/°C
    • Sensitivity lifetime drift: ±0.2%
    • Offset error: ±0.2mV
    • Offset thermal drift: ±10µV/°C
    • Offset lifetime drift: ±0.2mV
    • Non-linearity: ±0.1%
  • High immunity to external magnetic fields
  • Fast Response
    • Signal bandwidth: 1MHz
    • Response time: 120ns
    • Propagation delay: 50ns
    • Overcurrent detection response: 100ns
  • Operating supply range: 3V to 5.5V
  • Bidirectional and unidirectional current sensing
  • Multiple sensitivity options:
    • Ranging from 20mV/A to 150mV/A
  • Safety related certifications
    • UL 1577 Component Recognition Program
    • IEC/CB 62368-1

The TMCS1133 is a galvanically isolated Hall-effect current sensor with industry leading isolation and accuracy. An output voltage proportional to the input current is provided with excellent linearity and low drift at all sensitivity options. Precision signal conditioning circuitry with built-in drift compensation is capable of less than 1.4% maximum sensitivity error over temperature and lifetime with no system level calibration, or less than 0.9% maximum sensitivity error including both lifetime and temperature drift with a one-time calibration at room temperature.

AC or DC input current flows through an internal conductor generating a magnetic field measured by integrated, on-chip, Hall-effect sensors. Core-less construction eliminates the need for magnetic concentrators. Differential Hall sensors reject interference from stray external magnetic fields. Low conductor resistance increases measurable current ranges up to ±96A while minimizing power loss and easing thermal dissipation requirements. Insulation capable of withstanding 5kVRMS, coupled with a minimum of 8mm creepage and clearance, provides high levels of reliable lifetime reinforced working voltage. Integrated shielding enables excellent common-mode rejection and transient immunity.

Fixed sensitivity allows the device to operate from a single 3V to 5.5V power supply, eliminating ratiometry errors and improving supply noise rejection.

The TMCS1133 is a galvanically isolated Hall-effect current sensor with industry leading isolation and accuracy. An output voltage proportional to the input current is provided with excellent linearity and low drift at all sensitivity options. Precision signal conditioning circuitry with built-in drift compensation is capable of less than 1.4% maximum sensitivity error over temperature and lifetime with no system level calibration, or less than 0.9% maximum sensitivity error including both lifetime and temperature drift with a one-time calibration at room temperature.

AC or DC input current flows through an internal conductor generating a magnetic field measured by integrated, on-chip, Hall-effect sensors. Core-less construction eliminates the need for magnetic concentrators. Differential Hall sensors reject interference from stray external magnetic fields. Low conductor resistance increases measurable current ranges up to ±96A while minimizing power loss and easing thermal dissipation requirements. Insulation capable of withstanding 5kVRMS, coupled with a minimum of 8mm creepage and clearance, provides high levels of reliable lifetime reinforced working voltage. Integrated shielding enables excellent common-mode rejection and transient immunity.

Fixed sensitivity allows the device to operate from a single 3V to 5.5V power supply, eliminating ratiometry errors and improving supply noise rejection.

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設計與開發

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開發板

TMCS-A-ADAPTER-EVM — 適用於 DVG、DVF 或 DZP 封裝的 TMCS 隔離式霍爾效應電流感測器轉接卡 (不包括 IC)

TMCS-A-ADAPTER-EVM 是一款評估模組 (EVM),旨在協助快速、便利地使用採用 DVG、DVF 或 DZP 封裝的 TMCS 隔離式霍爾效應精密電流感測監控器。此 EVM 可讓使用者在透過隔離層測量隔離輸出時,將高達 90A 的電流推經霍爾輸入側。TMCS-A-ADAPTER-EVM 包含一個未組裝的 PCB,其具備可安裝測試點和分接接頭針腳的位置,以評估裝置。PCB 焊盤是重疊的,因此任何 DVG、DVF 或 DZP TMCS 零件都可以搭配 TMCS-A-ADAPTER-EVM 使用。

使用指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
開發板

TMCS1133EVM — TMCS1133 評估模組

TMCS1133EVM 評估模組 (EVM) 是一款工具,旨在協助方便快速地使用 TMCS1133,這是採用內部參考的隔離式霍爾效應精密電流感測監控器。此 EVM 可讓使用者在量測隔離輸出時,將最大操作電流推經霍爾輸入側,同時透過強化型隔離層量測隔離輸出。此固定裝置佈局不做為目標電路模型使用,也不是為了電磁 (EMI) 測試所進行的佈局。此 EVM 包含單一印刷電路板 (PCB),可分為五個獨立部分,讓使用者可測試單一靜態點的所有靈敏度變化 (A = 2.5V、B = 1.65V 或 C = 0.33V)。

使用指南: PDF | HTML
模擬型號

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (TMCS1133x1A)

SBOMCQ9.ZIP (8 KB) - PSpice Model
模擬型號

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 TINA-TI Reference Design

SBOMCR7.ZIP (127 KB) - TINA-TI Reference Design
計算工具

CS-MAGNETIC-ERROR-TOOL-CALC Hall-Effect Current Sensor Comparison and Error Tool

Hall-Effect Current Sensor Comparison and Error Tool
支援產品和硬體

支援產品和硬體

產品
霍爾效應電流感測器
TMCS1100 具有外部參考的 ±600V 基本隔離 20Arms 80kHz 霍爾效應電流感測器 TMCS1101-Q1 具有內部參考的 AEC-Q100、±600-V 精密隔離式電流感測器 TMCS1100-Q1 具有外部參考的 AEC-Q100、±600-V 精密隔離式電流感測器 TMCS1101 具有參考的 ±600V 基本隔離 20Arms 80kHz 霍爾效應電流感測器 TMCS1107 具有參考的 ±420V 基本隔離 20Arms 80kHz 霍爾效應電流感測器 TMCS1107-Q1 具有內部參考的 AEC-Q100、±420-V 隔離式霍爾效應電流感測器 TMCS1108 具有參考的 ±100V 基本隔離 20Arms 80kHz 霍爾效應電流感測器 TMCS1108-Q1 具有內部參考的 AEC-Q100、±100-V 隔離式霍爾效應電流感測器 TMCS1123 具有 AFR、參考及 ALERT 功能的 ±1300V 強化型隔離 80ARMS 250kHz 霍爾效應電流感測器 TMCS1123-Q1 具有 AFR 和 ALERT 功能的 AEC-Q100 80ARMS 霍爾效應電流感測器 TMCS1126 具有 AFR、參考和 ALERT 功能的 80ARMS、500kHz 霍爾效應電流感測器 TMCS1126-Q1 具有 AFR、參考和 ALERT 功能且符合 AEC-Q100 資格的 80ARMS 500kHz 霍爾效應電流感測器 TMCS1127 具有 AFR 功能的 80ARMS、250kHz 霍爾效應電流感測器 TMCS1127-Q1 具有 AFR 功能的 AEC-Q100 80ARMS、250kHz 霍爾效應電流感測器 TMCS1133 具有 AFR 和 ALERT 功能的 80ARMS、1MHz 霍爾效應電流感測器 TMCS1133-Q1 具有 AFR 和 ALERT 功能的車用 1MHz 霍爾效應電流感測器 TMCS1143 125ARMS 250kHz Hall-effect current sensor with AFR, reference, OCP and ALERT TMCS1148 具有 OCP、參考和 AFR 功能的 125ARMS、500kHz 霍爾效應電流感測器
參考設計

TIDA-010954 — 600W GaN 型單相換流器參考設計

此參考設計採用換流器 (AC-DAB) 拓撲與 TI GaN 功率級,打造 600W 雙向單級 DC-AC 逆變器。此設計在 DC 側支援高達 60V 和 ±16A,在單相交流側則支援 230VAC 和 2.6A。此逆變器支援雙向功率流,可做各種應用,例如太陽能微逆變器或電池儲能系統 (BESS)。
Design guide: PDF
參考設計

PMP41134 — 適用於儲能系統的 3.6kW 雙向 SR-DAB 轉換器參考設計

串聯諧振型雙主動橋式 (SR-DAB) DC/DC 轉換器參考設計提供軟切換、低循環電流與高效率等優勢。此設計適用於可攜式電站和儲能應用所需的功率密度、成本、電隔離、寬增益範圍和高效率。此設計展示如何在閉合電流迴路模式下使用 C2000™ MCU 來控制電源拓撲結構,其可雙向運作以支援電池充電和放電應用。
Test report: PDF
參考設計

PMP23537 — 3.6kW CCM-TCM 多模控制圖騰柱免橋接 PFC 參考設計

此參考設計為 3.6kW、單相、圖騰柱免橋接功率因數校正 (PFC) 轉換器,專為模組化硬體系統通用備援電源供應器 (M-CRPS) 伺服器所設計。PFC 在電感器電流較高的 AC 峰值區以連續傳導模式 (CCM) 運作,並在電感器電流較低的 AC 低谷區以三角傳導模式 (TCM) 及零電壓切換 (ZVS) 運作,以兼顧高效率與高功率密度。功率級之後配備了一個小型升壓轉換器,有助於縮減大型電容器的尺寸。此設計亦包括準確度為 0.5% 的電表功能,並使用 AMC1306 做為電流感測裝置,因此不再需要外部電源量測 IC。此設計還提供了使用 TMCS1133 (...)
Test report: PDF
參考設計

PMP41114 — 3.6kW,54V 單相 AC 轉 DC 整流器參考設計,皆採用 GaN 開關

此參考設計為數位控制的 3.6kW,54V 單相 AC 轉 DC 整流器,皆採用 GaN 開關。此設計示範採用標準外型尺寸的模組化硬體系統通用備援電源供應器 (M-CRPS)。輸入級選擇單相圖騰柱免橋接功率因數校正 (PFC),而輸出級則選擇配備全橋式同步整流器 (FB SR) 的全橋式雙電感器 - 電容器 (FB LLC) 轉換器。在半負載時,LLC 級效率達到 98.5%,而 PFC 級效率則達到 98.92%。
Test report: PDF
參考設計

PMP23547 — GaN 式 8kW 三相圖騰柱功率因數校正和三相 LLC 參考設計

此參考設計為高密度且高效率的 8kW 電源供應器。第一個階段是三角傳導模式 (TCM) 功率因數校正 (PFC) 轉換器,接著是連接 Δ-Δ 的三相電感器 - 電感器 - 電容器 (LLC) 轉換器。兩個功率級均採用 TI 高性能氮化鎵 (GaN) 電源開關來實現。PFC 在零電流偵測 (ZCD) 架構控制機制中採用三相圖騰柱 PFC。控制方法以可變頻率運作,且可在所有操作條件下維持零電壓切換 (ZVS)。此控制透過 TMS320F280039C 高性能微控制器和含整合式 ZCD 感測的 LMG3527R030 GaN 場效應電晶體 (FET) 來執行。轉換器的運作頻率範圍約在 70kHz (...)
Test report: PDF
參考設計

PMP23338 — 具有智慧電表功能的 3.6kW 單相圖騰柱無橋接 PFC 參考設計

此參考設計是一款氮化鎵 (GaN) 架構的 3.6kW、單相連續傳導模式 (CCM) 圖騰柱無橋接功率因數校正 (PFC) 轉換器,其以 M-CRPS 電源為目標。此設計包括準確度為 0.5% 的電表功能,不再需要外部電源量測 IC。供應器的設計可支援 16A RMS 最大輸入電流及 3.6kW 峰值功率。功率級之後配備了一個小型升壓轉換器,有助於大幅縮減大型電容器的尺寸。具有整合式驅動器與防護的 LMG3522 頂端冷卻 GaN 產品可實現更高效率,並可縮減電源供應器尺寸和複雜性。F28003x C2000™ 即時微控制器適用所有進階控制件,包括重新突波電流控制、在 AC (...)
Test report: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
SOIC (DVG) 10 Ultra Librarian

訂購與品質

內含資訊:
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊:
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

內容係由 TI 和社群貢獻者依「現狀」提供,且不構成 TI 規範。檢視使用條款

若有關於品質、封裝或訂購 TI 產品的問題,請參閱 TI 支援。​​​​​​​​​​​​​​

影片