Este diseño de referencia demuestra una etapa de potencia trifásica con entrada de 320 VCC de alta eficiencia que utiliza 6 FET de GaN de conmutación rápida que cuenta con controlador integrado, protección e informes de temperatura con control del microcontrolador del lado caliente, especialmente diseñado para aplicaciones de robótica y servoaccionamientos integrados en motores. Se logra una detección precisa de la corriente de fase mediante moduladores delta‑sigma aislados. La tensión de enlace de CC se mide con un modulador delta‑sigma de factor de forma pequeño no aislado, y una opción de retroalimentación de tensión de fase analógica hace posible la validación de diseños avanzados sin sensor, como InstaSPIN‑FOC™. Para facilitar la evaluación, este diseño ofrece una señal de interfaz de E/S de 3.3 V con un conector de 180 pines para el controlCARD de los microcontroladores C2000™, así como un cabezal estándar para conectarse a otros microcontroladores, como el Sitara™ AM2631.
Funciones
- Eficiencia energética máxima de 99.4 % a una modulación por ancho de pulsos (PWM) de 16 kHz con tensión de enlace de CC de 320 V para ayudar a reducir el tamaño del disipador
- Los FET de GaN de 600 V y 30 mΩ con controlador y protección integrados aumentan la confiabilidad y reducen los costos del sistema
- El sensor de temperatura integrado en el chip permite una supervisión precisa de la temperatura de la pastilla para maximizar el área de operación segura (SOA)
- Las pérdidas de recuperación inversa cero reducen las oscilaciones del nodo de conmutación, y el bajo tiempo muerto de 120 ns minimiza las distorsiones de la tensión de fase
- Detección precisa de corriente de fase con rango lineal de ±50 A mediante una derivación de 1 mΩ y un modulador delta‑sigma aislado
- La interfaz con E/S de 3.3 V permite una fácil evaluación de la tecnología GaN de TI para accionamientos de motores con C2000™, Sitara™ u otros microcontroladores