LMG3422R030
GaN FET de 600 V y 30 mΩ con controlador, protección e informes de temperatura integrados
LMG3422R030
- Qualified for JEDEC JEP180 for hard-switching topologies
- 600V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
- Integrated high precision gate bias voltage
- 200V/ns FET hold-off
- 2.2MHz switching frequency
- 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
- Operates from 7.5V to 18V supply
- Robust protection
- Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
- Withstands 720V surge while hard-switching
- Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
- Advanced power management
- Digital temperature PWM output
- LMG3426R030 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
- LMG3427R030 includes zero-current detection (ZCD) feature that facilitates soft-switching converters
The LMG342xR030 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.
The LMG342xR030 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TIs low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3426R030 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized.The LMG3427R030 includes the zero-current detection (ZCD) feature which provides a pulse output from the ZCD pin when a positive drain-to-source current is detected .
Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin.
Productos similares que pueden interesarle
Pin por pin con la misma funcionalidad que el dispositivo comparado
Funcionalidad similar a la del dispositivo comparado
Documentación técnica
Diseño y desarrollo
Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.
LMG342X-BB-EVM — Módulo de evaluación LMG342x
El LMG342X-BB-EVM es una placa de conexión fácil de usar para configurar cualquier placa de medio puente LMG342xR0x0, como la LMG3422EVM-043, como convertidor buck síncrono. Al proporcionar una etapa de potencia, potencia de polarización y circuito lógico, este módulo de evaluación (EVM) permite (...)
LMG3422EVM-043 — Tarjeta secundaria LMG3422R030 de medio puente de 600 V y 30 mΩ
LMG3422R030 Unencrypted PSpice Model Package
LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model
SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
Productos y hardware compatibles
Productos
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
Productos y hardware compatibles
Productos
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)
TIDA-010210 — Diseño de referencia de ANPC trifásico bidireccional de 11 kW basado en GaN
PMP23338 — Diseño de referencia de PFC sin puente de tótem monofásico de 3.6 kW con función de medidor electrón
TIDA-010255 — Diseño de referencia de inversor de GaN trifásico de 230 VCA y 2 kW para aplicaciones robóticas y se
TIDA-010203 — Diseño de referencia PFC de polo tótem monofásico de 4 kW con C2000 y GaN
Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
---|---|---|
VQFN (RQZ) | 54 | Ultra Librarian |
Pedidos y calidad
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
Soporte y capacitación
Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI
El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.
Si tiene preguntas sobre la calidad, el paquete o el pedido de productos de TI, consulte el soporte de TI.