The LP8900 is a dual LDO capable of supplying 200-mA output current per regulator. Designed to meet the requirements of RF and analog circuits, the LP8900 provides low device noise, high PSRR, low quiescent current, and superior line transient response figures.
Using new innovative design techniques, the LP8900 offers class-leading device noise performance without a noise bypass capacitor.
The LP8900 is designed to be stable with space saving ceramic capacitors as small as 0402 case size, enabling a solution size < 4 mm2. Performance is specified for a –40°C to +125°C junction temperature range.
Output voltage options from 1.2 V to 3.6 V are available; for availability, contact your local TI sales office.
For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet.| Typ | Titel | Datum | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LP8900 200-mA Ultra-Low-Noise Dual LDO For RF and Analog Circuits datasheet (Rev. E) | PDF | HTML | 01 Jun 2016 |
| Application note | A Topical Index of TI LDO Application Notes (Rev. F) | 27 Jun 2019 | ||
| Selection guide | Power Management Guide 2018 (Rev. R) | 25 Jun 2018 | ||
| Selection guide | Low Dropout Regulators Quick Reference Guide (Rev. P) | 21 Mär 2018 |
Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.
| Gehäuse | Pins | Herunterladen |
|---|---|---|
| DSBGA (YZR) | 6 | Optionen anzeigen |
Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.
Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.
Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support.