Power management

Leistungs-MOSFET

Niedrige Gate-Ladung und -Widerstand für schnell schaltende Transistoren

NexFET™ Leistungs-MOSFETs bieten eine breite Palette von diskreten und modularen n-Kanal- und p-Kanal-Lösungen, die höhere Wirkungsgrade, eine höhere Leistungsdichte oder Frequenz und kürzere Markeinführungszeiten ermöglichen.


N-Kanal-MOSFET-Transistor

TI bietet robuste n-Kanal-Bausteine mit branchenbestem Widerstand und Gate-Ladung, die einen Hochfrequenzbetrieb und eine höhere Leistungsdichte ermöglichen.


P-Kanal-MOSFET-Transistor

Die P-Kanal-Bausteine von TI bieten die branchenweit höchste Leistungsdichte und Kompaktheit und ermöglichen eine geringe Gate-Belastung.


Leistungsstufen-MOSFET

Leistungsstufen kombinieren integrierten Treiber-IC, optimierte Regelfunktionen und synchrone FETs und nutzen die PowerStack™-Technologie, um Parasitäreffekte zu beseitigen, Schaltverluste zu verringern und den größtmöglichen Wirkungsgrad zu erzielen.


Power-Block-MOSFET

Power-Blocks kombinieren optimierte Regelfunktionen mit synchronen FETs und nutzen die PowerStack™-Technologie, um Parasitäreffekte zu beseitigen sowie einen großen Wirkungsgrad und hohe Schaltfrequenzen zu erzielen.

Technische Ressourcen

BLOG

Blogbeiträge zum Thema Leistungs-MOSFET