LM5066Hx は、10mV ～ 50mV の範囲の 8 つのプログラム可能なスレッショルドを使用して電流制限保護を提供します。センス抵抗 R_SNS の両端 (VIN_K ピンと SENSE ピンの間) の電圧が選択したスレッショルドを超えると、電流制限がアクティブになります。CL ピンを使用して 2 つのスレッショルドを直接設定できます。CL が VDD に接続されているときは 25mV、CL が GND に接続されているときは 50mV に設定されます。残りの 6 つのスレッショルドは、PMBus インターフェイスを介して DEVICE_SETUP1 および DEVICE_SETUP2 レジスタをプログラムすることで利用できます。

過電流イベント中、このデバイスでは過電流ブランキングと電流制限の 2 つの保護モードが提供されます。これらのモードでは、構成に基づいて個別または連続的な動作が可能です。

過電流ブランキング モードでは、サーキット ブレーカ スレッショルド (V_CB) を下回っている場合に、設定時間を制限することなく負荷電流の通過が許されます。LM5066Hx は、2 つの過電流ブランキング スレッショルドと、個別のタイマ機能を備えています。

• 中程度の過電流に対して、V_CBL1とタイマ t_CBL1 の組み合わせ

• 大きい過電流に対して、V_CBL2 と タイマ t_CBL2 の組み合わせ

これらのスレッショルドとタイマは、DEVICE_SETUP3 および OC_BLANKING_TIMERS レジスタで構成します。通常、V_CBL1 を V_CL より高く、V_CBL2 を V_CBL1 より高く設定します。V_CL と V_CBL2 の間の負荷電流の場合、t_CBL1 タイマがアクティブになります。V_CBL1 と V_CBL2 の間の負荷電流の場合、t_CBL2 タイマがアクティブになります。

電流が期限切れになる前にそれぞれのスレッショルドを下回ると、タイマがリセットされます。過負荷が長時間続いていずれかのタイマが満了すると、デバイスは電流制限モードに遷移します。LM5066H2 の場合は、いずれかのタイマが満了すると GATE2 が直ちにオフになります。t_CBL1 と t_CBL2 を 0μs に設定すると、過電流ブランキングモードを無効化できます。

電流制限モードでは、GATE1 によって駆動される MOSFET を流れる電流が設定された電流制限スレッショルドに制限されるように、ゲート電圧が制御されます。電流制限中にフォルトタイマがアクティブになります。フォルトタイマがタイムアウトする前に、負荷電流が電流制限スレッショルドを下回ると、通常動作が再開されます。C_TMR で設定されたフォルト タイムアウト時間を超えても電流制限が持続する場合、GATE1 がオフになります。電流制限は、DEVICE_SETUP3 のビット 7 を設定することで無効化できます。ディスエーブルの場合、いずれかのブランキング タイマが満了すると、ブランキング フェーズの後に、GATE1 と GATE2 の両方がオフになります。電流制限フォルトが発生すると、デバイスは STATUS_INPUT (7Ch) 、STATUS_WORD (79h) 、および DIAGNOSTIC_WORD (E1h) レジスタのフォルトフラグを設定し、SMBA ピンをアサートします。SMBA 信号は、ALERT_MASK (D8h) レジスタを使用してディスエーブルできます。信頼性の高い動作を保証するため、R_SNS 抵抗の値が 200mΩ を超えないようにして、電流制限制御ループの不安定性を避ける必要があります。

図 7-1 電流制限、ブランキング、サーキット ブレーカ スレッショルド