JAJST04 February 2024 TPS61299-Q1
PRODUCTION DATA
パラメータ | バージョン | テスト条件 | 最小値 | 標準値 | 最大値 | 単位 | |
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電源 | |||||||
VIN | 入力電圧範囲 | すべて | 0.5 | 5.5 | V | ||
VIN_UVLO | 低電圧誤動作防止スレッショルド | すべて | VIN の立ち上がり | 0.7 | V | ||
VIN_UVLO | 低電圧誤動作防止スレッショルド | すべて | VIN の立ち下がり | 0.5 | V | ||
IQ | VIN ピンへの静止電流 | すべて | IC イネーブル、無負荷、スイッチングなし、TJ 最大 85℃ | 0.5 | nA | ||
IQ | VOUT ピンへの静止電流 | すべて | IC イネーブル、無負荷、スイッチングなし、TJ 最大 85℃ | 95 | 300 | nA | |
ISD | VIN ピンへのシャットダウン電流 | すべて | EN = Low、VIN = 3.6V、VOUT = 0V | 60 | nA | ||
ILKG_SW | SW ピンへのリーク電流 (SW ピンから VOUT ピン) | すべて | VSW = 3.0V、VOUT = 0V、TJ = 25℃ | 1 | 4 | nA | |
ILKG_SW | SW ピンへのリーク電流 (SW ピンから VOUT ピン) | すべて | VSW = 3.0V、VOUT = 0V、TJ = 85°C | 1 | nA | ||
ILKG_SW | SW ピンへのリーク電流 (SW ピンから GND ピン) | すべて | VSW = 3.0V、VOUT = 0V、TJ = 25℃ | 1 | 15 | nA | |
ILKG_SW | SW ピンへのリーク電流 (SW ピンから GND ピン) | すべて | VSW = 3.0V、VOUT = 0V、TJ 最大 85℃ | 1 | 200 | nA | |
出力 | |||||||
VOUT | 出力電圧設定範囲 | すべて | 1.8 | 5.5 | V | ||
VOUT_PWM_ACY | 出力電圧精度 | すべて | PWM、PFM モード | -2 | 2 | % | |
VOUT_SNOOZE_ACY | 出力電圧精度 | すべて | 通常モード | VOUT_PWM_ACY + 37.5mV | V | ||
高速モード | VOUT_PWM_ACY + +15mV | V | |||||
パワー スイッチ | |||||||
RDS(on) | ハイサイド MOSFET オン抵抗 | すべて | VOUT = 5.0V | 150 | mΩ | ||
RDS(on) | ローサイド MOSFET オン抵抗 | すべて | VOUT = 5.0V | 88 | mΩ | ||
ILIM | 入力電流制限 | TPS61299Q | VIN = 3.6V、VOUT = 5.0V | 0.96 | 1.2 | 1.44 | A |
ILH | インダクタ電流リップル | TPS61299Q | PWM | 350 | mA | ||
アプリケーション | |||||||
ロジック インターフェイス | |||||||
VEN_H | EN のロジック High のスレッショルド | すべて | VIN >= 1.05V | 0.84 | V | ||
VEN_L | EN のロジック Low のスレッショルド | すべて | VIN >= 1.05V | 0.36 | V | ||
VEN_H | EN のロジック High のスレッショルド | すべて | VIN < 1.05V | 0.8*VIN | V | ||
VEN_L | EN のロジック Low のスレッショルド | すべて | VIN < 1.05V | 0.2*VIN | V | ||
IEN_LKG | EN ピンへのリーク電流 | すべて | VEN = 5V | 1 | 50 | nA | |
REN | EN ピンのプルダウン抵抗 | すべて | EN = Low | 800 | kΩ | ||
PROTECTION | |||||||
TSD | サーマル シャットダウンのスレッショルド | TJ 立ち上がり | 150 | ℃ | |||
TSD_HYS | サーマル シャットダウン ヒステリシス | TJ が TSD を下回る | 20 | ℃ |