JAJSDR0B July   2017  – June 2025 TPS7A39

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 スタートアップ特性
    7. 5.7 タイミング図
    8. 5.8 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 電圧レギュレーション
        1. 6.3.1.1 DC レギュレーション
        2. 6.3.1.2 AC および過渡応答
      2. 6.3.2 ユーザ設定可能なバッファ付きリファレンス
      3. 6.3.3 アクティブ放電
      4. 6.3.4 システムの起動制御
        1. 6.3.4.1 スタートアップ トラッキング
        2. 6.3.4.2 シーケンシング
          1. 6.3.4.2.1 イネーブル (EN)
          2. 6.3.4.2.2 低電圧誤動作防止 (UVLO) 制御
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 通常動作
      2. 6.4.2 ドロップアウト動作
      3. 6.4.3 ディセーブル
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
      1. 7.1.1  可変デバイスの出力電圧の設定
      2. 7.1.2  コンデンサに関する推奨事項
      3. 7.1.3  入力および出力コンデンサ (CINx および COUTx)
      4. 7.1.4  フィードフォワード コンデンサ (CFFx)
      5. 7.1.5  ノイズ低減およびソフトスタート コンデンサ (CNR/SS)
      6. 7.1.6  バッファ付き基準電圧
      7. 7.1.7  内部リファレンスのオーバーライド
      8. 7.1.8  スタートアップ
        1. 7.1.8.1 ソフト スタート制御 (NR/SS)
          1. 7.1.8.1.1 突入電流
        2. 7.1.8.2 低電圧誤動作防止 (UVLOx) 制御
      9. 7.1.9  AC および過渡性能
        1. 7.1.9.1 電源電圧変動除去比 (PSRR)
        2. 7.1.9.2 チャネル間出力分離/クロストーク
        3. 7.1.9.3 出力電圧ノイズ
        4. 7.1.9.4 ノイズと PSRR の最適化
        5. 7.1.9.5 負荷過渡応答
      10. 7.1.10 DC 性能
        1. 7.1.10.1 出力電圧精度 (VOUTx)
        2. 7.1.10.2 ドロップアウト電圧 (VDO)
      11. 7.1.11 逆電流
      12. 7.1.12 消費電力 (PD)
        1. 7.1.12.1 推定接合部温度
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計 1：シングルエンドから差動への絶縁型電源
        1. 7.2.1.1 設計要件
        2. 7.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 7.2.1.2.1 スイッチャの選択
          2. 7.2.1.2.2 センタータップ トランス付きフルブリッジ整流器
          3. 7.2.1.2.3 ソリューションの総合的な効率
          4. 7.2.1.2.4 帰還抵抗の選択
        3. 7.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 7.2.2 設計 2：SAR ADCの全範囲の取得
        1. 7.2.2.1 設計要件
        2. 7.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.2.3 設計の詳細説明
          1. 7.2.2.3.1 0.2V のレギュレーション
          2. 7.2.2.3.2 帰還抵抗の選択
        4. 7.2.2.4 アプリケーション曲線
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
        1. 7.4.1.1 PSRR およびノイズ性能向上のための推奨基板レイアウト
        2. 7.4.1.2 パッケージの取り付け
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 デバイス サポート
      1. 8.1.1 開発サポート
        1. 8.1.1.1 評価基板
        2. 8.1.1.2 SPICE モデル
    2. 8.2 ドキュメントのサポート
      1. 8.2.1 関連資料
    3. 8.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 8.4 サポート・リソース
    5. 8.5 商標
    6. 8.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 8.7 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

5.6 スタートアップ特性

TJ = –40°C to +125°C、VINP(nom) = VOUTP(nom) + 1V または VIN(nom) = 3.3V (いずれか大きい方)、VINN(nom) = VOUTN(nom) – 1V または VINN(nom) = –3.3V (いずれか小さい方)、VEN = VINP、IOUT = 1mA、CINx = 2.2μF、COUTx = 10μF、CFFx = CNR/SS = 4.7nF、R1N = R2N = 10kΩ、FBP は OUTP に接続 (特に記載がない限り)。標準値は TJ = 25°C での値です。
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
tEN(delay) EN low から high への遷移から 2.5% VOUTP までの遅延時間 EN low から high への遷移から VOUTP = 2.5%×VOUTP(nom)へ 300 μs
tstart-up EN が low から high に遷移してから、両方の出力が最終値の 95% に達するまでの遅延時間 EN low から high への遷移から、VOUTP = VOUTP(nom) × 95%、VOUTN = VOUTN(nom) × 95% へと遷移します 1.1 ms
tPstart-Nstart VOUTP が高インピーダンス状態になってから高インピーダンス状態になる VOUTN までの遅延時間 VOUTP = VOUTP(nom) × 2.5% から VOUTN = VOUTN(nom) × 2.5% への変更 -40 -17 40 μs
Δ|VOUTP – VOUTN| 正と負の各出力の間の電圧差 tPstart-Nstart 中 75 300 mV