JAJSKC9F September   2020  – April 2025 DP83TG720S-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
    1.     ピンの機能
    2. 4.1 ピンの状態
    3. 4.2 ピンの電源ドメイン
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 タイミング要件
    7. 5.7 タイミング図
    8. 5.8 LED の駆動特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 診断ツール・キット
        1. 6.3.1.1 信号品質インジケータ
        2. 6.3.1.2 時間領域反射計測
        3. 6.3.1.3 データパス用内蔵セルフ・テスト
          1. 6.3.1.3.1 ループバック モード
          2. 6.3.1.3.2 データ・ジェネレータ
          3. 6.3.1.3.3 データパスの BIST のプログラミング
        4. 6.3.1.4 温度および電圧センシング
        5. 6.3.1.5 静電気放電 (ESD) 検出
      2. 6.3.2 準拠性テスト・モード
        1. 6.3.2.1 テスト・モード 1
        2. 6.3.2.2 テスト モード 2
        3. 6.3.2.3 テスト・モード 4
        4. 6.3.2.4 テスト・モード 5
        5. 6.3.2.5 テスト モード 6
        6. 6.3.2.6 テスト・モード 7
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 パワーダウン
      2. 6.4.2 リセット
      3. 6.4.3 スタンバイ
      4. 6.4.4 通常
      5. 6.4.5 スリープ
      6. 6.4.6 状態遷移
        1. 6.4.6.1 状態遷移 #1 - スタンバイから通常動作へ
        2. 6.4.6.2 状態遷移 #2 - 通常動作からスタンバイへ
        3. 6.4.6.3 状態遷移 #3 - 通常動作からスリープへ
        4. 6.4.6.4 状態遷移 #4 - スリープから通常動作へ
      7. 6.4.7 MDI (Media Dependent Interface)
        1. 6.4.7.1 MDI マスタと MDI スレーブの構成
        2. 6.4.7.2 自動極性検出および訂正
      8. 6.4.8 MAC インターフェイス
        1. 6.4.8.1 RGMII (Reduced Gigabit Media Independent Interface)
        2. 6.4.8.2 SGMII (Serial Gigabit Media Independent Interface)
      9. 6.4.9 シリアル マネージメント インターフェイス
        1. 6.4.9.1 ダイレクト・レジスタ・アクセス
        2. 6.4.9.2 拡張レジスタ スペース アクセス
          1. 6.4.9.2.1 書き込み動作 (ポスト インクリメントなし)
          2. 6.4.9.2.2 読み出し動作 (ポスト インクリメントなし)
          3. 6.4.9.2.3 書き込み動作 (ポスト インクリメントあり)
          4. 6.4.9.2.4 読み出し動作 (ポスト インクリメントあり)
    5. 6.5 プログラミング
      1. 6.5.1 ストラップ構成
      2. 6.5.2 LED の構成
      3. 6.5.3 PHY アドレスの設定
    6. 6.6 レジスタマップ
      1. 6.6.1 レジスタ・アクセスの概要
      2. 6.6.2 DP83TG720 のレジスタ
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 テキサス・インスツルメンツの 100BT1 PHY との互換性
    5. 7.5 レイアウト
      1. 7.5.1 レイアウトのガイドライン
        1. 7.5.1.1 信号トレース
        2. 7.5.1.2 復帰パス
        3. 7.5.1.3 物理メディアの接続
        4. 7.5.1.4 金属注入
        5. 7.5.1.5 PCB 層スタッキング
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 8.2 サポート・リソース
    3. 8.3 商標
    4. 8.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 8.5 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 10.1 付録：パッケージ・オプション
      1. 10.1.1 パッケージ情報
      2. 10.1.2 テープおよびリール情報

5.4 熱に関する情報

熱評価基準(1) DP83TG720 単位
RHA (VQFN)
36 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 32.5 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 22.2 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 13.3 ℃/W
ΨJT 接合部から上面への特性パラメータ 0.3 ℃/W
ΨJB 接合部から基板への特性パラメータ 13.3 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 3.2 ℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション レポートを参照してください。