JAJSUI1 データシート

JAJSUI1B May 2024 – July 2025 DLP472TE

PRODUCTION DATA

5.4 推奨動作条件

自由気流での動作温度範囲および電源電圧内 (特に記述のない限り)このデータシートに規定されているデバイスの機能性能は、「推奨動作条件」で定義された制限内でデバイスを動作させたときに達成されます。推奨動作条件の制限を超えてまたは下回ってデバイスを動作させる場合には、性能レベルを暗黙的に示すものではありません。

		最小値	標準値	最大値	単位
電源電圧 ⁽¹⁾⁽²⁾
V_DD	LVCMOS コアロジックおよび低速インターフェイス (LSIF) のための電源電圧	1.71	1.8	1.95	V
V_DDA	高速シリアルインターフェイス (HSSI) レシーバの電源電圧	1.71	1.8	1.95	V
V_OFFSET	HVCMOS およびマイクロミラー電極の電源電圧⁽³⁾	9.5	10	10.5	V
V_BIAS	マイクロミラー電極の電源電圧	17.5	18	18.5	V
V_RESET	マイクロミラー電極の電源電圧	-14.5	-14	-13.5	V
\| V_DDA – V_DD \|	電源電圧のデルタ、絶対値⁽⁴⁾			0.3	V
\| V_BIAS – V_OFFSET \|	電源電圧のデルタ、絶対値⁽⁵⁾			10.5	V
\| V_BIAS – V_RESET \|	電源電圧のデルタ、絶対値			33	V
LVCMOS 入力
V_IH	高レベル入力電圧⁽⁶⁾	0.7 × V_DD			V
V_IL	低レベル入力電圧⁽⁶⁾			0.3 × V_DD	V
低速シリアルインターフェイス (LSIF)
f_CLOCK	LSIF クロック周波数 (LS_CLK)⁽⁷⁾	108	120	130	MHz
DCD_IN	LSIF デューティサイクル歪み (LS_CLK)	44%		56%
\| V_ID \|	LSIF 差動入力電圧の振幅⁽⁷⁾	150	350	440	mV
V_LVDS	LSIF 電圧⁽⁷⁾	575		1520	mV
V_CM	同相電圧⁽⁷⁾	700	900	1300	mV
Z_LINE	ライン差動インピーダンス (PWB / パターン)	90	100	110	Ω
Z_IN	内部差動終端抵抗	80	100	120	Ω
高速シリアルインターフェイス (HSSI)
f_CLOCK	HSSI クロック周波数 (DCLK)⁽⁸⁾	1.2		1.6	GHz
DCD_IN	HSSI デューティサイクル歪み (DCLK)	44%	50%	56%
\| V_ID \| Data	HSSI 差動入力電圧振幅データレーン⁽⁸⁾	100		600	mV
\| V_ID \| CLK	HSSI 差動入力電圧振幅クロックレー⁽⁸⁾	295		600	mV
VCM_DCデータ	入力同相電圧 (DC) データレーン⁽⁸⁾	200	600	800	mV
VCM_DC CLK	入力同相電圧 (DC) クロックレーン⁽⁸⁾	200	600	800	mV
VCM_ACp-p	データレーンおよびクロックレーンの同相モード電圧における AC ピークツーピーク (リップル)⁽⁸⁾			100	mV
Z_LINE	ライン差動インピーダンス (PWB / パターン)		100		Ω
Z_IN	内部差動終端抵抗。 ( R_Xterm )	80	100	120	Ω
環境
T_ARRAY	アレイ温度、長期動作⁽⁹⁾⁽¹⁰⁾⁽¹²⁾	10		40～70 ⁽¹⁷⁾	℃
T_ARRAY	アレイ温度、短期動作、最大 500 時間⁽¹⁰⁾⁽¹³⁾	0		10	℃
T_DP-AVG	平均露点温度 (結露なし)⁽¹⁴⁾			28	℃
T_DP-ELR	高温の露点温度範囲 (結露なし)⁽¹¹⁾	28		36	℃
CT_ELR	高温の露点範囲における累積時間			24	毎月
Q_AP-LL	ウィンドウ開口部照明オーバーフィル ⁽¹⁸⁾⁽¹⁵⁾⁽¹⁹⁾			17	W/cm²
照明 LPCW、RGB レーザー、LED
ILL_UV	照明、波長 410nm 未満⁽⁹⁾⁽²⁰⁾			10	mW/cm²
ILL_VIS	410nm 以上 800nm 以下の波長における照明強度 ⁽¹⁶⁾⁽²⁰⁾			60	W/cm²
ILL_IR	照明、波長 800nm 超⁽²⁰⁾			10	mW/cm²
ILL_BLU	410nm 以上 475nm 以下の波長における照明強度 ⁽¹⁶⁾⁽²⁰⁾			19.5	W/cm²
ILL_BLU1	410nm 以上 440nm 以下の波長における照明強度 ⁽¹⁶⁾⁽²⁰⁾			3.06	W/cm²

(1) DMD を動作させるには、すべての電源接続が必要です。V_DD、V_DDA、V_OFFSET、V_BIASおよび V_RESET。DMD を動作させるには、すべての V_SS 接続が必要です。

(2) すべての電圧値は、V_SS グランドピンを基準としたものです。

(3) V_OFFSET 電源過渡電圧は、規定最大電圧内に収まる必要があります。

(4) 過剰な電流を防止するため、電源電圧のデルタ |V_DDA – V_DD| は、指定限界値よりも小さい必要があります。

(5) 過剰な電流を防止するため、電源電圧のデルタ |V_BIAS – V_OFFSET| は、指定限界値よりも小さい必要があります。

(6) LVCMOS 入力ピンは DMD_DEN_ARSTZ です。

(7) セクション 5.8 タイミング要件の低速インターフェイス(LSIF) のタイミング要件を参照します。

(8) セクション 5.8 タイミング要件の高速シリアルインターフェイス (HSSI) のタイミング要件を参照します。

(9) DMD を最大推奨動作条件の温度および UV 照明に同時に曝露すると、デバイスの寿命が短くなります。

(10) アレイの温度は直接測定することはできないため、マイクロミラーアレイ温度の計算セクション 6.6 セクションに示すように、テストポイント 1 (TP1) で測定された温度から解析的に計算する必要があります。

(11) 保存時および動作時の高温範囲で露点温度への曝露は、CT_ELR の合計
累積時間未満に制限する必要があります。

(12) 長期は、デバイスの使用可能寿命と定義されます。

(13) 短期は、デバイスの有効寿命全体にわたる合計累積時間です。

(14) デバイスが「高温の露点温度範囲」にない経時的な平均値 (保存や動作を含む)。

(15) DMD のアクティブ領域は、DMD デバイスアセンブリの構造を通常の視界から覆い隠す、DMD ウィンドウ面の内側にある開口部で囲まれています。開口部は、いくつかの光学条件を想定した大きさになっています。アクティブアレイの外側を照らすオーバーフィル光は散乱し、DMD を使用する最終アプリケーションの性能に悪影響を及ぼす可能性があります。アクティブアレイの外部に入射する光の光束を最小限に抑えることが、照明光学システムの設計要件となっています。システムの光学アーキテクチャとアセンブリ許容誤差によっては、アクティブアレイの外側のオーバーフィル光量がシステム性能の劣化を引き起こす可能性があります。

(16) DMD に入射する最大許容光出力は、規定された各波長範囲における最大光出力密度とマイクロミラーアレイ温度 (T_ARRAY) によって制限されます。

(17) 図 5-1 に従って、最大動作アレイ温度は、最終アプリケーションにおいて DMD が受けるマイクロミラーの着地デューティサイクルに基づいてディレーティングする必要があります。マイクロミラーのランデッドデューティサイクルの定義については、セクション 6.9 マイクロミラーのランデッドオン / ランデッドオフデューティサイクルセクションを参照してください。

(18) 図 5-2 で定義されている領域に適用されます。

(19) 計算には、セクション 6.8 ウィンドウアパーチャイルミネーションオーバーフィル計算を参照してください。

(20) 計算には、セクション 6.7 マイクロミラーの電力密度の計算を参照してください。