JAJSUN4B December 2024 – June 2025 BQ2969T
PRODMIX
以下のスコープ プロットは、異なる状態間で遷移するデバイスの応答を示しています。図 8-4 は、デバイスが過電圧イベントを検出し、過電圧遅延時間の後で OUT ピンをアサートして外部ヒューズを溶断する様子を示しています。図 8-5 は、すべてのセル電圧が必要なヒステリシス レベル分だけ過電圧スレッショルドを下回って、OUT ピンがデアサートされたときの過電圧イベントからの回復を示しています。図 8-6 に、低電圧遅延期間の後で、デバイスが低電圧条件を検出し、REG LDO 出力を無効化する例を示します。図 8-7 に、すべてのセル電圧が必要なヒステリシス レベル分だけ低電圧スレッショルドを上回ったときに、デバイスが低電圧状態から回復し、REG LDO を再度有効化する例を示します。
図 8-4 過電圧保護トリガ
図 8-6 レギュレータを無効化する低電圧検出
図 8-5 過電圧保護復帰
図 8-7 レギュレータを再度有効化する低電圧復帰