JAJSXI7A September 2025 – November 2025 UCC27834-Q1 , UCC27884-Q1
PRODUCTION DATA
ブートストラップ コンデンサは、ブートストラップ コンデンサを 10% 以上消耗することなく、FET Q1 のゲートが High で駆動するのに十分な電荷を持つ大きさとする必要があります。一般的なルールは、CBOOT を少なくとも 10 倍とし、等価 FET ゲート容量 (C gs) と同じ大きさとします。
Cg は、ハイサイド FET ゲートを駆動する電圧 (VQ1g) と FET ゲート電荷 (Qg) に基づいて計算されます。 VQ1g は、ほぼ VDD に供給されるバイアス電圧と同じで、ブートストラップ ダイオードの順方向電圧降下 (VBOOT) 分減算されます。この設計例では、推定された VQ1g は約 14.4V でした
この例で使用された FET の Qg は 33nC でした。Qg と VQ1g に基づき計算された C g は 2.3nF でした。
Cg が推定された後、CBOOT は、Cg の少なくとも 10 倍とする必要があります。
この設計例では、ブートストラップ コンデンサとして 100nF のコンデンサが選択されています。