絶縁型 DC/DC コンバータとモジュール

効率と信頼性の向上に関する需要に対応すると同時に、パワートレイン全体の重量を軽減するために (重量軽減は EV：電気自動車の走行距離延長に役立ちます)、トラクション・インバータの設計は現在、SiC FET と 800V バッテリを採用し、(コストの最適化に役立つ) 統合を強化する傾向にあります。

TI の絶縁型バイアス電源：

• バイアス・モジュールを内蔵した標準的なフライバック・バイアス・ソリューションに比べて、部品点数を 40% 低減できます。
• 高効率の SiC 動作を実現し、±1.3% 精度のレギュレーションを達成します。
• 高速スイッチング SiC FET をサポートし、150V/ns を上回る同相過渡耐性を達成。

EV パワートレインの設計者は、高電圧化、高出力化、航続距離延長をサポートするために、ワイド・バンドギャップ技術の採用を進めています。TI の絶縁型バイアス電源は、高密度 OBC (オンボード・チャージャ) と DC/DC コンバータの重量やサイズの低減に適した FET 動作を支援するための機能を搭載しています。

TI の絶縁型バイアス電源の特長：

• 150V/ns を上回る同相過渡耐性を通じて電力密度の向上を実現し、高速スイッチングの SiC (シリコン・カーバイド) と GaN (窒化ガリウム) の各 FET に対応します。
• バイアス電源を内蔵した結果、標準的なフライバック・ソリューションに比べて、部品表 (BOM) 点数を 40% 低減できます。
• ±1.3% の精度を達成し、SiC の効率的な動作を支援します。

電気自動車 (EV) の航続距離の延長と自動車のバッテリ電圧の上昇に伴い、高速充電要件に対応できるように、高速、高信頼性、高効率の充電ステーションが求められています。

TI の絶縁型バイアス電源の特長：

• 150V/ns を上回る同相過渡耐性を通じて充電の高速化を実現し、SiC (シリコン・カーバイド) と GaN (窒化ガリウム) の各 FET に対応。
• バイアス電源モジュールを内蔵し、システム・コストの削減とパワー・コンバータ設計の簡素化に貢献します。
• イネーブル / ディスエーブル機能を搭載しており、充電ステーションのスタンバイ電力要件を満たしやすくなります。

ソーラー・システムは電圧範囲と電力範囲が広いので、高電圧の双方向電力変換段とワイド・バンドギャップ半導体を実装する傾向が強くなります。

TI の絶縁型バイアス電源の特長：

• 高い接合部温度に耐え、非常に過酷な環境で最大の駆動能力を達成することができます。
• 150V/ns を上回る同相過渡耐性を通じて、SiC (シリコン・カーバイド) と GaN (窒化ガリウム) に対応する小型のエネルギー・ストレージ・システムの製作に貢献します。
• 高信頼性と保護機能に役立つ、基本絶縁と強化絶縁を実現できます。

自動車業界が内燃機関 (従来型のエンジン) からの移行を進めるには、高電圧の電力に対応できるように、HVAC (エアコン) システムを再設計する必要があります。

TI の絶縁型バイアス電源の特長：

• 高い動作電圧に対応できるように、基本絶縁型と強化絶縁型の各ソリューションを取り揃えています。
• 150V/ns を上回る同相過渡耐性を通じて、高速スイッチング SiC FET に対応します。
• 高さと体積に関する厳格な要件を満たせるように、最小のソリューション・サイズを実現するのに役立ちます。