DRV7308

プレビュー

保護機能と電流センス機能搭載、650V、205mΩ、3 相、GaN インテリジェント パワー モジュール (IPM)

製品詳細

Rating Catalog Architecture Integrated FET Control interface 6xPWM Peak output current (A) 5 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 250 VDS (max) (V) 650 Features Integrated FETs Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Integrated FET Control interface 6xPWM Peak output current (A) 5 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 250 VDS (max) (V) 650 Features Integrated FETs Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REN) 68 144 mm² 12 x 12
  • Three-phase PWM motor driver with integrated 650V enhancement mode GaNFETs
  • Up to 450V operating voltage
    • 650V absolute maximum voltage
  • High output current capability: 5A Peak current
  • Low conduction loss: Low on-state resistance per GaN FET: 205mΩ RDS(ON) at TA = 25°C
  • Low switching loss: Zero reverse recovery, low output capacitance, slew rate control
  • Low distortion: Ultra low propagation delay < 135ns, Ultra low adaptive dead time < 200ns
  • Integrated gate drives with slew rate control of phase node voltage
    • Slew rate options from 5V/ns to 40V/ns
  • 500ns minimum low side on time support with integrated fast bootstrap GaN rectifier
  • Low-side GaN FET open source pins to support 1- or 2- or 3-shunt current sensing
  • Supports up to 60kHz hard switching
  • Integrates a 11MHz, 15V/µs amplifier for single shunt current sensing
  • Supports 3.3V and 5V logic inputs
  • Integrated BRAKE functionality to turn on all low side GaN FETs together
  • Integrated temperature sensor
  • >1.6mm clearance between OUTx and OUTx, VM and OUTx and OUTx and PGND.
  • 2mm clearance between VM and PGND
  • Integrated protection features
    • GVDD and bootstrap under voltage lockout
    • Over current protection for each GaN FET
    • Over temperature protection
    • PWM input dead time
    • Current limit protection using integrated comparators for all three phases
    • Fault condition indication pin (HV_nFAULT)
  • Three-phase PWM motor driver with integrated 650V enhancement mode GaNFETs
  • Up to 450V operating voltage
    • 650V absolute maximum voltage
  • High output current capability: 5A Peak current
  • Low conduction loss: Low on-state resistance per GaN FET: 205mΩ RDS(ON) at TA = 25°C
  • Low switching loss: Zero reverse recovery, low output capacitance, slew rate control
  • Low distortion: Ultra low propagation delay < 135ns, Ultra low adaptive dead time < 200ns
  • Integrated gate drives with slew rate control of phase node voltage
    • Slew rate options from 5V/ns to 40V/ns
  • 500ns minimum low side on time support with integrated fast bootstrap GaN rectifier
  • Low-side GaN FET open source pins to support 1- or 2- or 3-shunt current sensing
  • Supports up to 60kHz hard switching
  • Integrates a 11MHz, 15V/µs amplifier for single shunt current sensing
  • Supports 3.3V and 5V logic inputs
  • Integrated BRAKE functionality to turn on all low side GaN FETs together
  • Integrated temperature sensor
  • >1.6mm clearance between OUTx and OUTx, VM and OUTx and OUTx and PGND.
  • 2mm clearance between VM and PGND
  • Integrated protection features
    • GVDD and bootstrap under voltage lockout
    • Over current protection for each GaN FET
    • Over temperature protection
    • PWM input dead time
    • Current limit protection using integrated comparators for all three phases
    • Fault condition indication pin (HV_nFAULT)

The DRV7308 is a three-phase intelligent power module (IPM) that consists of 205mΩ, 650V e-mode Gallium-Nitride (GaN) for driving three-phase BLDC/PMSM motors up to 450V DC rails. The applications include field-oriented control (FOC), sinusoidal current control, and trapezoidal (six step) current control of BLDC motors. The device helps to achieve more than 99% efficiency for a 3-phase modulated, FOC-driven, 250W motor drive application in a QFN 12mm x 12mm package at 20kHz switching frequency, eliminating the need for heat sink. The device helps to achieve ultra quiet operation, with very low dead time. The integrated bootstrap rectifier with bootstrap current limit, eliminates the need for an external bootstrap diode.

The DRV7308 is a three-phase intelligent power module (IPM) that consists of 205mΩ, 650V e-mode Gallium-Nitride (GaN) for driving three-phase BLDC/PMSM motors up to 450V DC rails. The applications include field-oriented control (FOC), sinusoidal current control, and trapezoidal (six step) current control of BLDC motors. The device helps to achieve more than 99% efficiency for a 3-phase modulated, FOC-driven, 250W motor drive application in a QFN 12mm x 12mm package at 20kHz switching frequency, eliminating the need for heat sink. The device helps to achieve ultra quiet operation, with very low dead time. The integrated bootstrap rectifier with bootstrap current limit, eliminates the need for an external bootstrap diode.

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技術資料

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4 をすべて表示
種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート DRV7308 Three Phase 650V, 5A, GaN Intelligent Power Module データシート PDF | HTML 2024年 5月 29日
技術記事 Achieving household energy efficiency and cost savings with GaN-based motor system designs PDF | HTML 2024年 6月 7日
ホワイト・ペーパー How Three-Phase Integrated GaN Technology Maximizes Motor-Drive Performance PDF | HTML 2024年 6月 6日
EVM ユーザー ガイド (英語) DRV7308 Evaluation Module User's Guide 2024年 5月 21日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

DRV7308EVM — DRV7308 の評価基板

DRV7308EVM は、DRV7308 モータードライバを包括的に評価するための設計を採用したモジュールです。このデバイスは、モーター ドライバ アプリケーションに適した、250W、450V、トリプル GaN (窒化ガリウム) FET 内蔵、ハーフブリッジ ゲート ドライバです。DRV7308EVM は、1 個の 3 相ブラシレス DC モーターを直接駆動する能力のある、3 個の 650V E (エンハンスメント) モード GaN FET ハーフブリッジを実現します。


このキットにとって必須の C2000™ LAUNCHXL-F2800137 LaunchPad™ は、DRV7308 (...)

ユーザー ガイド: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-010273 — 250W モーター インバータのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、大型家電製品などの用途に対応する 250W モーター ドライブです。ヒートシンクなしで高効率を実現する GaN IPM (インテリジェント パワー モジュール) である DRV7308 をベースとするモーター インバータと、UCC28911 を使用した低スタンバイ消費電力の設計を提示しています。このリファレンス デザインには、FAST™ ソフトウェア エンコーダまたは eSMO を使用して、3 相 PMSM 向けのセンサレス FOC 制御を実装する方法が示されています。モジュール型設計を採用したこのリファレンス デザインでは、同じマザーボード上で C2000™ (...)
設計ガイド: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VQFN (REN) 68 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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