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UCC5880-Q1

プレビュー

車載対応、高度な保護機能搭載、20A、絶縁型、リアルタイムで可変の IGBT/SiC MOSFET ゲート・ドライバ

製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 12 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bus voltage (max) (V) 1414 Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 12 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bus voltage (max) (V) 1414 Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
SSOP (DFC) 32 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • ドライブ強度を即座にプログラム可能なデュアル出力の分割ドライバ
    • ±15A および ±5A の駆動電流出力
    • SPI なしで駆動強度を調整するためのデジタル入力ピン (GD*)
    • 3 つの抵抗設定 R1、R2、または R1||R2
    • 内蔵の 4A アクティブ・ミラー・クランプまたはミラー・クランプ・トランジスタ用外部駆動 (任意)
  • 1 次側と 2 次側のアクティブ・ショート・サーキット (ASC) をサポート
  • 内部および外部電源の低電圧および過電圧保護
  • ドライバ・ダイ温度センシングおよび過熱保護機能
  • 短絡保護:
    • 過電流イベントに対する応答時間 75ns
    • DESAT 保護 – 最大 14V まで選択可能
    • シャント抵抗をベースとする過電流保護
    • 保護スレッショルドの値とブランキング時間を構成可能
    • プログラマブル・ソフト・ターンオフ (STO) および 2 レベルのソフト・ターンオフ (2STO) 電流
  • 10 ビット ADC 内蔵
    • パワー・スイッチ温度、ドライバのダイ温度、DESAT ピン電圧、VCC2 電圧、位相電流、DC リンク電圧
    • プログラム可能なデジタル・コンパレータ
  • 高度な VCE/VDS クランプ回路
  • 機能安全準拠
    • 機能安全アプリケーション向けに開発
    • ASIL D までの ISO 26262 システム設計を支援するドキュメントを提供
  • 診断機能内蔵:
    • 保護コンパレータ用の内蔵セルフ・テスト (BIST)
    • パワー・デバイスの状態監視用のゲート・スレッショルド電圧測定
    • INP からトランジスタのゲートへの経路の整合性
    • 内部クロックの監視
    • フォルト・アラームおよび警告出力 (nFLT*)
    • ISO 通信データの整合性チェック
  • SPI ベースのデバイス再構成、検証、監視、診断機能
  • CMTI:100kV/µs
  • 安全関連認証:
    • UL1577 に準拠した絶縁耐圧 (予定):5kVRMS (1 分間)
    • DIN VDE 0884-11 に準拠した強化絶縁耐圧:7070VPK2017-01 (予定)
  • 以下の結果で AEC-Q100 認定済み:
    • デバイス温度グレード 1:-40℃~+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
  • ドライブ強度を即座にプログラム可能なデュアル出力の分割ドライバ
    • ±15A および ±5A の駆動電流出力
    • SPI なしで駆動強度を調整するためのデジタル入力ピン (GD*)
    • 3 つの抵抗設定 R1、R2、または R1||R2
    • 内蔵の 4A アクティブ・ミラー・クランプまたはミラー・クランプ・トランジスタ用外部駆動 (任意)
  • 1 次側と 2 次側のアクティブ・ショート・サーキット (ASC) をサポート
  • 内部および外部電源の低電圧および過電圧保護
  • ドライバ・ダイ温度センシングおよび過熱保護機能
  • 短絡保護:
    • 過電流イベントに対する応答時間 75ns
    • DESAT 保護 – 最大 14V まで選択可能
    • シャント抵抗をベースとする過電流保護
    • 保護スレッショルドの値とブランキング時間を構成可能
    • プログラマブル・ソフト・ターンオフ (STO) および 2 レベルのソフト・ターンオフ (2STO) 電流
  • 10 ビット ADC 内蔵
    • パワー・スイッチ温度、ドライバのダイ温度、DESAT ピン電圧、VCC2 電圧、位相電流、DC リンク電圧
    • プログラム可能なデジタル・コンパレータ
  • 高度な VCE/VDS クランプ回路
  • 機能安全準拠
    • 機能安全アプリケーション向けに開発
    • ASIL D までの ISO 26262 システム設計を支援するドキュメントを提供
  • 診断機能内蔵:
    • 保護コンパレータ用の内蔵セルフ・テスト (BIST)
    • パワー・デバイスの状態監視用のゲート・スレッショルド電圧測定
    • INP からトランジスタのゲートへの経路の整合性
    • 内部クロックの監視
    • フォルト・アラームおよび警告出力 (nFLT*)
    • ISO 通信データの整合性チェック
  • SPI ベースのデバイス再構成、検証、監視、診断機能
  • CMTI:100kV/µs
  • 安全関連認証:
    • UL1577 に準拠した絶縁耐圧 (予定):5kVRMS (1 分間)
    • DIN VDE 0884-11 に準拠した強化絶縁耐圧:7070VPK2017-01 (予定)
  • 以下の結果で AEC-Q100 認定済み:
    • デバイス温度グレード 1:-40℃~+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C4B

UCC5880-Q1 デバイスは、EV/HEV アプリケーションの大電力 SiC MOSFET および IGBT を駆動するための高度に構成可能な絶縁型のスルーレート調整可能なゲート・ドライバです。シャント抵抗をベースにした、過電流検出、過熱 (PTC、NTC、ダイオード) 検出、DESAT 検出などによってパワー・トランジスタを保護しており、これらの障害発生時にソフト・ターンオフまたは 2 レベルのソフト・ターンオフを選択できます。アプリケーションのサイズをさらに小さくするため、UCC5880-Q1 は、アクティブ・ミラー・クランプと、ドライバに電力が供給されていない間のアクティブ・ゲート・プルダウンを内蔵しています。内蔵の 10 ビット ADC を使うと、最大 2 つのアナログ入力 (VCC2、DESAT) とゲート・ドライバ温度を監視することでシステム管理を強化できます。ASIL 準拠システムの設計を簡素化する診断および検出機能を内蔵しています。これらの機能のパラメータとスレッショルドは SPI を使って設定できるため、本デバイスはほとんどすべての SiC MOSFET または IGBT と組み合わせて使用できます。

UCC5880-Q1 デバイスは、EV/HEV アプリケーションの大電力 SiC MOSFET および IGBT を駆動するための高度に構成可能な絶縁型のスルーレート調整可能なゲート・ドライバです。シャント抵抗をベースにした、過電流検出、過熱 (PTC、NTC、ダイオード) 検出、DESAT 検出などによってパワー・トランジスタを保護しており、これらの障害発生時にソフト・ターンオフまたは 2 レベルのソフト・ターンオフを選択できます。アプリケーションのサイズをさらに小さくするため、UCC5880-Q1 は、アクティブ・ミラー・クランプと、ドライバに電力が供給されていない間のアクティブ・ゲート・プルダウンを内蔵しています。内蔵の 10 ビット ADC を使うと、最大 2 つのアナログ入力 (VCC2、DESAT) とゲート・ドライバ温度を監視することでシステム管理を強化できます。ASIL 準拠システムの設計を簡素化する診断および検出機能を内蔵しています。これらの機能のパラメータとスレッショルドは SPI を使って設定できるため、本デバイスはほとんどすべての SiC MOSFET または IGBT と組み合わせて使用できます。

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* データシート UCC5880-Q1 車載アプリケーション用の高度な保護機能を搭載した絶縁型 20A 調整可能ゲート・ドライブ IGBT/SiC MOSFET ゲート・ドライバ データシート PDF | HTML 英語版をダウンロード PDF | HTML 2022年 12月 21日
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ホワイト・ペーパー Design Priorities in EV Traction Inverter With Optimum Performance.. PDF | HTML 2022年 9月 27日
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ホワイト・ペーパー EV (電気自動車) のトラクション・インバータで設計の優先順位が性能最適化の場合 PDF | HTML 最新の英語版をダウンロード (Rev.A) PDF | HTML 2022年 9月 27日
ホワイト・ペーパー Traction Inverters – A Driving Force Behind Vehicle Electrification.. PDF | HTML 2022年 8月 17日
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ホワイト・ペーパー トラクション・インバータ – 自動車の電動化を支える推進力 PDF | HTML 英語版をダウンロード PDF | HTML 2022年 8月 17日
技術記事 Understanding functional safety for gate drivers and traction inverter systems 2022年 8月 10日
技術記事 Reducing power loss and thermal dissipation in SiC traction inverters 2022年 6月 10日

設計および開発

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評価ボード

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評価ボード

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設計ガイド: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
SSOP (DFC) 32 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材料 (内容)
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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