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UCC5880-Q1

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車載、高度な保護機能搭載、20A、絶縁型、リアルタイムで可変の IGBT/SiC MOSFET ゲート ドライバ

製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Programmable dead time, Real-time variable gate drive strength, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 12 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1414 Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Programmable dead time, Real-time variable gate drive strength, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 12 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1414 Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
SSOP (DFC) 32 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • リアルタイムで駆動能力可変のデュアル出力ドライバ
    • ±15A および ±5A の駆動電流出力
    • SPI なしで駆動強度を調整するためのデジタル入力ピン (GD*)
    • 3 つの抵抗設定 R1、R2、または R1||R2
    • 内蔵の 4A アクティブ ミラー クランプ、またはオプションで外部のミラー クランプ トランジスタを駆動
  • 1 次側と 2 次側のアクティブ短絡 (ASC) をサポート
  • 内部および外部電源の低電圧および過電圧保護
  • ドライバ ダイ温度センシングおよび過熱保護機能
  • 短絡保護:
    • DESAT イベントへの応答時間 110ns
    • DESAT 保護 – 最大 14V まで選択可能
    • シャント抵抗を使った短絡 (SC) および過電流 (OC) 保護
    • 保護スレッショルドの値とブランキング時間を構成可能
    • プログラマブル ソフト ターンオフ (STO) および 2 レベルのソフト ターンオフ (2STO) 電流
  • 10 ビット ADC 内蔵
    • パワー スイッチの温度、 DC リンク電圧、ドライバのダイ温度、DESAT ピン電圧、VCC2 電圧を測定可能
    • プログラム可能なデジタル コンパレータ
  • 高度な VCE/VDS クランプ回路
  • 機能安全準拠
  • 診断機能内蔵:
    • 保護コンパレータ用の内蔵セルフ テスト (BIST)
    • パワー デバイスの状態監視用のゲート スレッショルド電圧測定
    • INP からトランジスタのゲートへの経路の整合性
    • 内部クロックの監視
    • フォルト アラームおよび警告出力 (nFLT*)
    • ISO 通信データの整合性チェック
  • SPI ベースのデバイス再構成、検証、監視、診断機能
  • 150V/ns CMTI
  • 以下の結果で AEC-Q100 認定済み:
    • デバイス温度グレード 1:動作時周囲温度範囲:-40℃~+125℃
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C2b
  • リアルタイムで駆動能力可変のデュアル出力ドライバ
    • ±15A および ±5A の駆動電流出力
    • SPI なしで駆動強度を調整するためのデジタル入力ピン (GD*)
    • 3 つの抵抗設定 R1、R2、または R1||R2
    • 内蔵の 4A アクティブ ミラー クランプ、またはオプションで外部のミラー クランプ トランジスタを駆動
  • 1 次側と 2 次側のアクティブ短絡 (ASC) をサポート
  • 内部および外部電源の低電圧および過電圧保護
  • ドライバ ダイ温度センシングおよび過熱保護機能
  • 短絡保護:
    • DESAT イベントへの応答時間 110ns
    • DESAT 保護 – 最大 14V まで選択可能
    • シャント抵抗を使った短絡 (SC) および過電流 (OC) 保護
    • 保護スレッショルドの値とブランキング時間を構成可能
    • プログラマブル ソフト ターンオフ (STO) および 2 レベルのソフト ターンオフ (2STO) 電流
  • 10 ビット ADC 内蔵
    • パワー スイッチの温度、 DC リンク電圧、ドライバのダイ温度、DESAT ピン電圧、VCC2 電圧を測定可能
    • プログラム可能なデジタル コンパレータ
  • 高度な VCE/VDS クランプ回路
  • 機能安全準拠
  • 診断機能内蔵:
    • 保護コンパレータ用の内蔵セルフ テスト (BIST)
    • パワー デバイスの状態監視用のゲート スレッショルド電圧測定
    • INP からトランジスタのゲートへの経路の整合性
    • 内部クロックの監視
    • フォルト アラームおよび警告出力 (nFLT*)
    • ISO 通信データの整合性チェック
  • SPI ベースのデバイス再構成、検証、監視、診断機能
  • 150V/ns CMTI
  • 以下の結果で AEC-Q100 認定済み:
    • デバイス温度グレード 1:動作時周囲温度範囲:-40℃~+125℃
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C2b

UCC5880‌-Q1 デバイスは、EV/HEV アプリケーションの大電力 SiC MOSFET および IGBT を駆動するための高度に構成可能で駆動能力可変の絶縁型ゲート ドライバです。シャント抵抗をベースにした過電流検出、過熱 (PTC、NTC またはダイオード) 検出、DESAT 検出などによるパワー トランジスタ保護機能を備えており、これらの障害発生時にソフト ターンオフまたは 2 レベルのソフト ターンオフを選択できます。内蔵の 10 ビット ADC を使うと、最大 2 つのアナログ入力 (VCC2、DESAT) とゲート ドライバ温度を監視することでシステム管理を強化できます。ASIL 準拠システムの設計を簡素化する診断および検出機能を内蔵しています。これらの機能のパラメータとスレッショルドは SPI を使って設定できるため、本デバイスはほとんどすべての SiC MOSFET または IGBT と組み合わせて使用できます。

UCC5880‌-Q1 デバイスは、EV/HEV アプリケーションの大電力 SiC MOSFET および IGBT を駆動するための高度に構成可能で駆動能力可変の絶縁型ゲート ドライバです。シャント抵抗をベースにした過電流検出、過熱 (PTC、NTC またはダイオード) 検出、DESAT 検出などによるパワー トランジスタ保護機能を備えており、これらの障害発生時にソフト ターンオフまたは 2 レベルのソフト ターンオフを選択できます。内蔵の 10 ビット ADC を使うと、最大 2 つのアナログ入力 (VCC2、DESAT) とゲート ドライバ温度を監視することでシステム管理を強化できます。ASIL 準拠システムの設計を簡素化する診断および検出機能を内蔵しています。これらの機能のパラメータとスレッショルドは SPI を使って設定できるため、本デバイスはほとんどすべての SiC MOSFET または IGBT と組み合わせて使用できます。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート UCC5880-Q1 車載アプリケーション用の高度な保護機能を搭載した絶縁型 20A 調整可能ゲート ドライブ IGBT/SiC MOSFET ゲート ドライバ データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 2月 27日
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ホワイト・ペーパー Design Priorities in EV Traction Inverter With Optimum Performance (Rev. A) PDF | HTML 2023年 2月 8日
技術記事 Improving safety in EV traction inverter systems PDF | HTML 2022年 12月 8日
証明書 UCC5880QEVM-057 EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2022年 11月 11日
ホワイト・ペーパー Design Priorities in EV Traction Inverter With Optimum Performance.. PDF | HTML 2022年 9月 27日
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ホワイト・ペーパー Traction Inverters – A Driving Force Behind Vehicle Electrification.. PDF | HTML 2022年 8月 17日
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ホワイト・ペーパー トラクション・インバータ – 自動車の電動化を支える推進力 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2022年 8月 17日
技術記事 Reducing power loss and thermal dissipation in SiC traction inverters PDF | HTML 2022年 6月 10日

設計と開発

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評価ボード

UCC5880INVERTEREVM — UCC5880-Q1 evaluation module for variable isolated gate drive in traction inverters

UCC5880INVERTEREVM ボードは 2 種類の方法で使用できます。スタンドアロンで使用する場合、100nF のコンデンサ負荷を基板に半田付けし、 UCC5880-Q1 ドライバをテストします。大電力のテストを実施する場合、SiC ベースのハーフブリッジ パワー モジュールである Wolfspeed XM3 を直接駆動します。絶縁型バイアス電源である UCC14240-Q1 を 2 個、ボードに搭載しています。この評価基板 (EVM) は、一般的な SPI、デイジーチェーン接続、TI のアドレスをベースとする方式など、さまざまな SPI (...)

評価ボード

UCC5880QEVM-057 — UCC5880-Q1 の評価基板

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シミュレーション・ツール

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設計ガイド: PDF
リファレンス・デザイン

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試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
SSOP (DFC) 32 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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