176-pin (ZAL) package image

SN74SSQEC32882ZALR AKTIV

Puffer mit Register, konform mit JEDEC SSTE32882, energieeffizient, 28 bis 56 Bit, mit Adress-Paritä

AKTIV custom-reels KUNDENSPEZIFISCH Kann als kundenspezifisch gegurtete Rolle geliefert werden

Preis

Menge Preis
+

Informationen zur Qualität

Beurteilung Catalog
RoHS Ja
REACH Ja
Beschichtungsmaterial für Anschlussdrähte/Balls SNAGCU
MSL-Rating/Spitzenrückfluss Level-3-250C-168 HR
Informationen zu Qualität,
Zuverlässigkeit und Gehäuse

Enthaltende Informationen:

  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Beschichtungsmaterial für Anschlussdrähte/Balls
  • MSL-Rating/Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Anzeigen oder herunterladen
Zusätzliche Herstellungsangaben

Enthaltende Informationen:

  • Werksstandort
  • Montagestandort
Anzeigen

Export-Klassifizierung

*Nur für Referenzzwecke

  • US ECCN: EAR99

Gehäuseinformationen

Gehäuse | Pins NFBGA (ZAL) | 176
Betriebstemperaturbereich (°C) 0 to 85
Gehäusemenge | Träger 2.000 | LARGE T&R

Merkmale von SN74SSQEC32882

  • JEDEC SSTE32882
  • 1-to-2 Register Outputs and 1-to-4 Clock Pair Outputs Support
    Stacked DDR3 RDIMMs
  • CKE Powerdown Mode for Optimized System Power Consumption
  • 1.5V/1.35V/1.25V Phase Lock Loop Clock Driver for Buffering
    One Differential Clock Pair (CK and CK)
    and Distributing to Four Differential Outputs
  • 1.5V/1.35V/1.25V CMOS Inputs
  • Checks Parity on Command and Address (CS-Gated) Data Inputs
  • Configurable Driver Strength
  • Uses Internal Feedback Loop
  • Optimized Power Consumption

Beschreibung von SN74SSQEC32882

This 1:2 or 26-bit 1:2 and 4-bit 1:1 registering clock driver with parity is designed for operation on DDR3 registered DIMMs with VDD of 1.5 V, on DDR3L registered DIMMs with VDD of 1.35 V and on DDR3U registered DIMMs with VDD of 1.25 V.

All inputs are 1.5 V, 1.35V and 1.25 V CMOS compatible. All outputs are CMOS drivers optimized to drive DRAM signals on terminated traces in DDR3 RDIMM applications. The clock outputs Yn and Yn and control net outputs DxCKEn, DxCSn and DxODTn can be driven with a different strength and skew to optimize signal integrity, compensate for different loading and equalize signal travel speed.

The SN74SSQEC32882 has two basic modes of operation associated with the Quad Chip Select Enable (QCSEN) input. When the QCSEN input pin is open (or pulled high), the component has two chip select inputs, DCS0 and DCS1, and two copies of each chip select output, QACS0, QACS1, QBCS0 and QBCS1. This is the "QuadCS disabled" mode. When the QCSEN input pin is pulled low, the component has four chip select inputs DCS[3:0], and four chip select outputs, QCS[3:0]. This is the "QuadCS enabled" mode. Through the remainder of this specification, DCS[n:0] will indicate all of the chip select inputs, where n=1 for QuadCS disabled, and n=3 for QuadCS enabled. QxCS[n:0] will indicate all of the chip select outputs.

The device also supports a mode where a single device can be mounted on the back side of a DIMM. If MIRROR=HIGH, Input Bus Termination (IBT) has to stay enabled for all input signals in this case.

The SN74SSQEC32882 operates from a differential clock (CK and CK). Data are registered at the crossing of CK going HIGH, and CK going LOW. This data could be either re-driven to the outputs or it could be used to access device internal control registers.

The input bus data integrity is protected by a parity function. All address and command input signals are added up and the last bit of the sum is compared to the parity signal delivered by the system at the input PAR_IN one clock cycle later. If they do not match the device pulls the open drain output ERROUT LOW. The control signals (DCKE0, DCKE1, DODT0, DODT1, DCS[n:0]) are not part of this computation.

The SN74SSQEC32882 implements different power saving mechanisms to reduce thermal power dissipation and to support system power down states. By disabling unused outputs the power consumption is further reduced.

The package is optimized to support high density DIMMs. By aligning input and output positions towards DIMM finger signal ordering and SDRAM ballout the device de-scrambles the DIMM traces allowing low cross talk design with low interconnect latency.

Edge controlled outputs reduce ringing and improve signal eye opening at the SDRAM inputs.

Preis

Menge Preis
+

Trägeroptionen

Wir bieten verschiedene Trägeroptionen für Ihre Bestellung. Je nach der Menge der von Ihnen bestellten Teile können Sie Standard-Rollen, kundenspezifisch gegurtete Rollen, Gurtabschnitt, Stangen oder Trays als Lieferoption auswählen.

Eine kundenspezifisch gegurtete Rolle ist ein kontinuierlich verlaufender Gurtabschnitt, der von einer Rolle geschnitten wird, um die Rückführbarkeit des Chargen- und Datumscodes zu gewährleisten. Nach Industriestandards sind ein 18 Zoll breiter Vorspann und Abspann mit einer Distanzscheibe aus Messing auf beiden Seiten des Gurtabschnitts verbunden, sodass es direkt in einen Bestückungsautomaten eingespeist werden kann. TI veranschlagt eine Gurtungsgebühr für Bestellungen von kundenspezifisch gegurteten Rollen.

Gurtabschnitt bezeichnet eine von einer Rolle abgeschnittene Gurtlänge. Es kann sein, dass TI die Bestellung in mehreren Streifen von Gurtabschnitten oder auf mehrere Boxen verteilt liefert, um die von Ihnen gewünschte Menge zu erfüllen.

TI liefert Tube- oder Tray-Bauteile häufig in einer Box, oder aber in der Tube oder dem Tray – je nach Verfügbarkeit. Wir verpacken alle Gurte, Tubes oder Musterbehälter gemäß unseren internen Schutzanforderungen für ESD (Electro Static Discharge) und MSL (Moisture Sensitivity Level).

Mehr erfahren

Auswahlmöglichkeiten für Chargen- und Datumscode eventuell verfügbar

Fügen Sie Ihrem Warenkorb ein Produkt hinzu und beginnen Sie den Auscheckvorgang, um die im Bestand verfügbaren Auswahlmöglichkeiten für Chargen- oder Datumscodes anzuzeigen.

Mehr erfahren