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CSD23382F4

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de -12 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 1 mm, 76 mOhm, protección cont

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Detalles del producto

VDS (V) -12 VGS (V) -8 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 105 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 1.04 QGD (typ) (nC) 0.15 QGS (typ) (nC) 0.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -12 VGS (V) -8 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 105 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 1.04 QGD (typ) (nC) 0.15 QGS (typ) (nC) 0.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² (1.035 mm × 0.635 mm)
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm maximum height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 2-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Pb terminal plating
  • Halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm maximum height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 2-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Pb terminal plating
  • Halogen free
  • RoHS compliant

This 66-mΩ, 12-V P-channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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This 66-mΩ, 12-V P-channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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