Inicio Administración de potencia MOSFET

CSD25481F4

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 1 mm, 105 mOhm, protección con

Detalles del producto

VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 105 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 175 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 0.913 QGD (typ) (nC) 0.153 QGS (typ) (nC) 0.24 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 105 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 175 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 0.913 QGD (typ) (nC) 0.153 QGS (typ) (nC) 0.24 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² 1.035 x 0.635
  • Ultra-low on resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • High operating drain current
  • Ultra-small footprint (0402 Case Size)
    • 1 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36 mm max height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated >4 kV HBM
    • Rated >2 kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Ultra-low on resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • High operating drain current
  • Ultra-small footprint (0402 Case Size)
    • 1 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36 mm max height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated >4 kV HBM
    • Rated >2 kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 90-mΩ, 20-V P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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This 90-mΩ, 20-V P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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Documentación técnica

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Documentación principal Tipo Título Opciones de formato Fecha
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Diseño y desarrollo

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Placa de evaluación

CSD1FPCHEVM-890 — Módulo de evaluación FemtoFET P-ch

Este EVM FemtoFET P-ch incluye seis tarjetas secundarias, cada tarjeta contiene un número de pieza diferente de FemtoFET p-ch.  Las tarjetas secundarias permiten al ingeniero conectar y probar fácilmente estos pequeños dispositivos.  Los seis FemtoFET varían de 12 V a 20 V Vds, y el tamaño de los (...)

Guía del usuario: PDF
Soporte de software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Productos y hardware compatibles

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Modelo de simulación

CSD25481F4 TINA-TI Spice Model

SLPM238.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
Modelo de simulación

CSD25481F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. C)

SLPM079C.ZIP (3 KB) - PSpice Model
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
PICOSTAR (YJC) 3 Ultra Librarian

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)/reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

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