Inicio Administración de potencia MOSFET

CSD87502Q2

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON dual de 2 mm x 2, 42 mOhm, protección contra desca

Detalles del producto

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 32.4 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 42 VGSTH typ (typ) (V) 1.6 QG (typ) (nC) 2.2 QGD (typ) (nC) 0.5 QGS (typ) (nC) 1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 32.4 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 42 VGSTH typ (typ) (V) 1.6 QG (typ) (nC) 2.2 QGD (typ) (nC) 0.5 QGS (typ) (nC) 1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
WSON (DLV) 6 4 mm² 2 x 2
  • Low On-Resistance
  • Dual Independent MOSFETs
  • Space Saving SON 2 × 2 mm Plastic Package
  • Optimized for 5 V Gate Driver
  • Avalanche Rated
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • Low On-Resistance
  • Dual Independent MOSFETs
  • Space Saving SON 2 × 2 mm Plastic Package
  • Optimized for 5 V Gate Driver
  • Avalanche Rated
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant

The CSD87502Q2 is a 30 V, 27 mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2 x 2 mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half-bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, these NexFET power MOSFETs can be used for adaptor, USB input protection, and battery charging applications. The dual FETs feature low drain-to-source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space-constrained applications.

The CSD87502Q2 is a 30 V, 27 mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2 x 2 mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half-bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, these NexFET power MOSFETs can be used for adaptor, USB input protection, and battery charging applications. The dual FETs feature low drain-to-source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space-constrained applications.

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Documentación técnica

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Documentación principal Tipo Título Opciones de formato Fecha
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Diseño y desarrollo

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Soporte de software

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Modelo de simulación

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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
WSON (DLV) 6 Ultra Librarian

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)/reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

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