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EMB1412

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UCC27624 ACTIVO 30V VDD, 5A/5A dual-channel low-side gate driver with 4V UVLO and low propagation delay More recent driver with higher supply voltage capability

EMB1412

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Detalles del producto

Rating Catalog Features MOSFET Gate Driver Device type Cell monitor and balancer Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Features MOSFET Gate Driver Device type Cell monitor and balancer Operating temperature range (°C) -40 to 125
HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² (3 mm × 4.9 mm)
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce
    Output Current Variation
  • 7 A Sink/3 A Source Current
  • Fast Propagation Times (25 ns Typical)
  • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise
    Fall with 2 nF Load)
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide
    Either Configuration with a Single Device
  • Supply Rail Under-Voltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for Split
    Supply or Single Supply Operation
  • Thermally Enhanced 8-Pin VSSOP Package
  • Output Swings from VCC to VEE Which can
    be Negative Relative to Input Ground
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce
    Output Current Variation
  • 7 A Sink/3 A Source Current
  • Fast Propagation Times (25 ns Typical)
  • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise
    Fall with 2 nF Load)
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide
    Either Configuration with a Single Device
  • Supply Rail Under-Voltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for Split
    Supply or Single Supply Operation
  • Thermally Enhanced 8-Pin VSSOP Package
  • Output Swings from VCC to VEE Which can
    be Negative Relative to Input Ground

The EMB1412 MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in 8-lead exposed-pad VSSOP package, with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7-A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Under-voltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turn-on voltage. The EMB1412 provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.

The EMB1412 MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in 8-lead exposed-pad VSSOP package, with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7-A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Under-voltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turn-on voltage. The EMB1412 provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.
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Documentación técnica

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* Hoja de datos EMB1412 MOSFET Gate Driver datasheet (Rev. B) PDF | HTML 20/11/2014
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 28/02/2020
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 28/02/2020

Diseño y desarrollo

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Placa de evaluación

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Guía del usuario: PDF
Productos y hardware compatibles
En inventario
Límite:
??asset.out-of-stock-ti_es_MX??
No disponible
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
HVSSOP (DGN) 8 Ultra Librarian
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Pedidos y calidad

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