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LM7481-Q1

ACTIVO

Controlador de diodo ideal que impulsa NFET consecutivos con rectificación activa para automoción

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LM7481-Q1

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Detalles del producto

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 2 Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.428 Iq (max) (mA) 0.5 FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 60000 IGate sink (typ) (mA) 1500 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 350 VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 2 Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.428 Iq (max) (mA) 0.5 FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 60000 IGate sink (typ) (mA) 1500 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 350 VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
WSON (DRR) 12 9 mm² 3 x 3
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • 3-V to 65-V input range
  • Reverse input protection down to –65 V
  • Drives external back to back N-channel MOSFETs
  • Ideal diode operation with 9.1-mV A to C forward voltage drop regulation
  • Low reverse detection threshold (–4 mV) with fast response (0.5 µs)
  • Active rectification up to 200-KHz
  • 60-mA peak gate (DGATE) turn-on current
  • 2.6-A peak DGATE turnoff current
  • Integrated 3.8-mA charge pump
  • Adjustable over voltage protection
  • Low 2.87 µA shutdown current (EN/UVLO=Low)
  • 2.6-A peak DGATE turn-off current
  • Meets automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode
  • Available in space saving 12-Pin WSON package
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • 3-V to 65-V input range
  • Reverse input protection down to –65 V
  • Drives external back to back N-channel MOSFETs
  • Ideal diode operation with 9.1-mV A to C forward voltage drop regulation
  • Low reverse detection threshold (–4 mV) with fast response (0.5 µs)
  • Active rectification up to 200-KHz
  • 60-mA peak gate (DGATE) turn-on current
  • 2.6-A peak DGATE turnoff current
  • Integrated 3.8-mA charge pump
  • Adjustable over voltage protection
  • Low 2.87 µA shutdown current (EN/UVLO=Low)
  • 2.6-A peak DGATE turn-off current
  • Meets automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode
  • Available in space saving 12-Pin WSON package

The LM74810-Q1 ideal diode controller drives and controls external back to back N-Channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON/OFF control and over voltage protection. The wide input supply of 3 V to 65 V allows protection and control of 12-V and 24-V automotive battery powered ECUs. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65 V. An integrated ideal diode controller (DGATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. A strong charge pump of 3.8 mA with 60-mA peak GATE source current driver stage and short turn ON and turn OFF delay times ensures fast transient response ensuring robust and efficient MOSFET switching performance during automotive testing such as ISO16750 or LV124 where an ECU is subjected to input short interruptions and AC superimpose input signals upto 200-KHz frequency. With a second MOSFET in the power path the device allows load disconnect (ON/OFF control) and over voltage protection using HGATE control. The device features an adjustable over voltage cut-off protection feature for load dump protection.

The LM74810-Q1 ideal diode controller drives and controls external back to back N-Channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON/OFF control and over voltage protection. The wide input supply of 3 V to 65 V allows protection and control of 12-V and 24-V automotive battery powered ECUs. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65 V. An integrated ideal diode controller (DGATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. A strong charge pump of 3.8 mA with 60-mA peak GATE source current driver stage and short turn ON and turn OFF delay times ensures fast transient response ensuring robust and efficient MOSFET switching performance during automotive testing such as ISO16750 or LV124 where an ECU is subjected to input short interruptions and AC superimpose input signals upto 200-KHz frequency. With a second MOSFET in the power path the device allows load disconnect (ON/OFF control) and over voltage protection using HGATE control. The device features an adjustable over voltage cut-off protection feature for load dump protection.
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Documentación técnica

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Diseño y desarrollo

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Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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