パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 PICOSTAR (YJN) | 3 |
| 動作温度範囲 (℃) -55 to 150 |
| パッケージ数量 | キャリア 250 | SMALL T&R |
CSD25501F3 の特徴
- 低いオン抵抗
- 非常に低い Qg および Qgd
- 極めて小さいフットプリント
- 0.7mm × 0.6mm
- 薄型
- 最大高 0.22mm
- ESD 保護ダイオード搭載
- 鉛およびハロゲン不使用
- RoHS に準拠
CSD25501F3 に関する概要
この -20V、64mΩ、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計および最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。内蔵の 10kΩ クランプ抵抗 (RC) により、デューティ サイクルに応じて、ゲート電圧 (VGS) を最大内部ゲート酸化膜値の -6V より高くして動作できます。VGS が -6V を超えて上昇すると、ダイオードを経由するゲートのリーク電流 (IGSS) が増加します。