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CSD25501F3

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 0.7mm のシングル LGA、76mΩ、–20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) -20 VGS (V) -20 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 125 VGSTH typ (typ) (V) -0.75 QG (typ) (nC) 1.02 QGD (typ) (nC) 0.09 QGS (typ) (nC) 0.45 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -20 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 125 VGSTH typ (typ) (V) -0.75 QG (typ) (nC) 1.02 QGD (typ) (nC) 0.09 QGS (typ) (nC) 0.45 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJN) 3 0.414 mm² (0.69 mm × 0.6 mm)
  • 低いオン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 極めて小さいフットプリント
    • 0.7mm × 0.6mm
  • 薄型
    • 最大高 0.22mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS に準拠
  • 低いオン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 極めて小さいフットプリント
    • 0.7mm × 0.6mm
  • 薄型
    • 最大高 0.22mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS に準拠

この -20V、64mΩ、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計および最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。内蔵の 10kΩ クランプ抵抗 (RC) により、デューティ サイクルに応じて、ゲート電圧 (VGS) を最大内部ゲート酸化膜値の -6V より高くして動作できます。VGS が -6V を超えて上昇すると、ダイオードを経由するゲートのリーク電流 (IGSS) が増加します。

この -20V、64mΩ、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計および最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。内蔵の 10kΩ クランプ抵抗 (RC) により、デューティ サイクルに応じて、ゲート電圧 (VGS) を最大内部ゲート酸化膜値の -6V より高くして動作できます。VGS が -6V を超えて上昇すると、ダイオードを経由するゲートのリーク電流 (IGSS) が増加します。

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技術資料

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* データシート CSD25501F3 -20V P チャネル FemtoFET™ MOSFET データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2024/12/05
アプリケーション・ノート MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.G) PDF | HTML 2025/11/18
アプリケーション概要 パワー MOSFET のリーク電流の推定 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025/11/07
アプリケーション・ノート 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2025/05/08
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アプリケーション・ノート Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023/12/14
アプリケーション・ノート Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023/03/13
アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022/05/31
設計ガイド FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016/07/07

設計と開発

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サポート・ソフトウェア

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

CSD25501F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM337A.ZIP (4 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
リファレンス・デザイン

TIDA-010070 — 低電圧サーボ ドライブ向け保護機能搭載 DC バス入力電力 / 制御電源のリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、OR コントローラである LM5050-1 を使用して、逆極性と逆電流に対する保護を実現しています。さらに、過電流、過電圧、低電圧に対する保護と、突入電流の制限を目的として、ホット スワップ コントローラ LM5069 も組み合わせて使用しています。また、このデザインは、ゲート ドライバ、エンコーダ、マイコン (MCU) などのエレクトロニクスを制御する目的で、複数の電源レールを搭載
サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
PICOSTAR (YJN) 3 Ultra Librarian

購入と品質

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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