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CSD25501F3

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 0.7mm のシングル LGA 封止、76mΩ、-20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) -20 VGS (V) -20 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 125 Rds(on) at VGS=1.8 V (max) (mΩ) 260 Id peak (max) (A) -13.6 Id max cont (A) -3.6 QG (typ) (nC) 1.02 QGD (typ) (nC) 0.09 QGS (typ) (nC) 0.45 VGSTH typ (typ) (V) -0.75 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.6 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) -20 VGS (V) -20 Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 125 Rds(on) at VGS=1.8 V (max) (mΩ) 260 Id peak (max) (A) -13.6 Id max cont (A) -3.6 QG (typ) (nC) 1.02 QGD (typ) (nC) 0.09 QGS (typ) (nC) 0.45 VGSTH typ (typ) (V) -0.75 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.6 Logic level Yes Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
PICOSTAR (YJN) 3 0.414 mm² 0.69 x 0.6
  • 低いオン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 極めて小さいフットプリント
    • 0.7mm × 0.6mm
  • 低プロファイル
    • 最大高 0.22mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠
  • 低いオン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 極めて小さいフットプリント
    • 0.7mm × 0.6mm
  • 低プロファイル
    • 最大高 0.22mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠

この -20V、64mΩ、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、多くのハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーションのフットプリントを最小化するように設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。内蔵の 10kΩ クランプ抵抗 (RC) により、デューティ・サイクルに応じて、ゲート電圧 (VGS) を最大内部ゲート酸化膜値の -6V より高くして動作できます。VGS が -6V を超えて上昇すると、ダイオードを経由するゲートのリーク電流 (IGSS) が増加します。

この -20V、64mΩ、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、多くのハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーションのフットプリントを最小化するように設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。内蔵の 10kΩ クランプ抵抗 (RC) により、デューティ・サイクルに応じて、ゲート電圧 (VGS) を最大内部ゲート酸化膜値の -6V より高くして動作できます。VGS が -6V を超えて上昇すると、ダイオードを経由するゲートのリーク電流 (IGSS) が増加します。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート CSD25501F3 -20V、P チャネル FemtoFET™ MOSFET データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版をダウンロード (Rev.B) PDF | HTML 2021年 12月 20日
アプリケーション・ノート MOSFET Support and Training Tools (Rev. B) PDF | HTML 2023年 3月 29日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
アプリケーション・ノート Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 10月 21日
アプリケーション・ノート Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
その他の技術資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
技術記事 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
設計ガイド FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日
アプリケーション・ノート Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 2016年 4月 19日
技術記事 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技術記事 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページを表示してください。

サポート・ソフトウェア

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

SLPC019A.ZIP (375 KB)
シミュレーション・モデル

CSD25501F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM337A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
リファレンス・デザイン

TIDA-010070 — Protected DC-bus input power and control power supply reference design for low-voltage servo drives

このリファレンス・デザインは、OR コントローラである LM5050-1 を使用して、逆極性と逆電流に対する保護を実現しています。さらに、過電流、過電圧、低電圧に対する保護と、突入電流の制限を目的として、ホット・スワップ・コントローラ LM5069 も組み合わせて使用しています。また、このデザインは、ゲート・ドライバ、エンコーダ、マイコン (MCU) などのエレクトロニクスを制御する目的で、複数の電源レールを搭載
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
PICOSTAR (YJN) 3 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材料 (内容)
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

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