パッケージ情報
パッケージ | ピン数 PicoStar (YJN) | 3 |
動作温度範囲 (℃) -55 to 150 |
パッケージ数量 | キャリア 3,000 | LARGE T&R |
CSD25501F3 の特徴
- 低いオン抵抗
- 非常に低い Qg および Qgd
- 極めて小さいフットプリント
- 0.7mm × 0.6mm
- 低プロファイル
- 最大高 0.22mm
- ESD 保護ダイオード搭載
- 鉛およびハロゲン不使用
- RoHS 準拠
CSD25501F3 に関する概要
この -20V、64mΩ、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、多くのハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーションのフットプリントを最小化するように設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。内蔵の 10kΩ クランプ抵抗 (RC) により、デューティ・サイクルに応じて、ゲート電圧 (VGS) を最大内部ゲート酸化膜値の -6V より高くして動作できます。VGS が -6V を超えて上昇すると、ダイオードを経由するゲートのリーク電流 (IGSS) が増加します。