パッケージ情報
パッケージ | ピン数 PicoStar (YJE) | 6 |
動作温度範囲 (℃) |
パッケージ数量 | キャリア 3,000 | LARGE T&R |
CSD83325L の特徴
- 共通ドレインの構成
- 低いオン抵抗
- 2.2mm × 1.15mm の小さな占有面積
- 鉛不使用
- RoHS に準拠
- ハロゲン不使用
- ゲート ESD 保護
CSD83325L に関する概要
この 12V、9.9mΩ、2.2mm × 1.15mm LGA のデュアル NexFET™ パワー MOSFET は、小さな占有面積で抵抗とゲート電荷を最小限に抑えるように設計されています。占有面積が小さく共通ドレインの構成なので、このデバイスは小型のハンドヘルド デバイスのバッテリ パック・アプリケーションに理想的です。