ホーム パワー マネージメント MOSFET

CSD83325L

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、デュアル LGA 封止、5.9mΩ、12V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 12 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Drain Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 5.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 12.1 VGSTH typ (typ) (V) 0.95 QG (typ) (nC) 8.4 QGD (typ) (nC) 1.9 QGS (typ) (nC) 2.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 8 ID - package limited (A) 8 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Drain Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 5.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 12.1 VGSTH typ (typ) (V) 0.95 QG (typ) (nC) 8.4 QGD (typ) (nC) 1.9 QGS (typ) (nC) 2.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 8 ID - package limited (A) 8 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJE) 6 2.3976 mm² 2.16 x 1.11
  • 共通ドレインの構成
  • 低いオン抵抗
  • 2.2mm × 1.15mm の小さな占有面積
  • 鉛不使用
  • RoHS に準拠
  • ハロゲン不使用
  • ゲート ESD 保護
  • 共通ドレインの構成
  • 低いオン抵抗
  • 2.2mm × 1.15mm の小さな占有面積
  • 鉛不使用
  • RoHS に準拠
  • ハロゲン不使用
  • ゲート ESD 保護

この 12V、9.9mΩ、2.2mm × 1.15mm LGA のデュアル NexFET™ パワー MOSFET は、小さな占有面積で抵抗とゲート電荷を最小限に抑えるように設計されています。占有面積が小さく共通ドレインの構成なので、このデバイスは小型のハンドヘルド デバイスのバッテリ パック・アプリケーションに理想的です。

この 12V、9.9mΩ、2.2mm × 1.15mm LGA のデュアル NexFET™ パワー MOSFET は、小さな占有面積で抵抗とゲート電荷を最小限に抑えるように設計されています。占有面積が小さく共通ドレインの構成なので、このデバイスは小型のハンドヘルド デバイスのバッテリ パック・アプリケーションに理想的です。

ダウンロード 字幕付きのビデオを表示 ビデオ

お客様が関心を持ちそうな類似品

open-in-new 代替品と比較
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン配置が異なる製品
CSD85302L アクティブ ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1.35mm x 1.35mm のコモン ドレイン LGA 封止、デュアル、24mΩ、20V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET Alternate 20 V versus 12 V, smaller and higher resistance

技術資料

star =TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアしてから、再度検索を試してください。
10 をすべて表示
上位の文書 タイプ タイトル フォーマットオプション 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート CSD83325L 12V、デュアル N チャネル NexFET™ Power MOSFET データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2023年 11月 20日
アプリケーション・ノート MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.G) PDF | HTML 2025年 11月 18日
アプリケーション概要 パワー MOSFET のリーク電流の推定 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 11月 7日
アプリケーション・ノート 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2025年 5月 8日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
アプリケーション・ノート Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023年 12月 14日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
その他の技術資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
設計ガイド FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

サポート・ソフトウェア

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

シミュレーション・モデル

CSD83325L Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM144B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

リファレンス・デザイン

PMP4496 — USB-C DFP Power Bank、入力高速チャージャ付、リファレンス・デザイン

PMP4496 is a power bank reference design with a single USB type C dual role port (DRP). It can perform as a SINK or SOURCE. Role is automatically determined according to the external device attached. Fast charger input is also supported to save more charging time.
試験報告書: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-00712 — スマートウォッチ電池管理ソリューション・リファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、スマート・ウォッチ用バッテリ・マネージメント・ソリューション (BMS) に適しています。このデザインは、スマートウォッチ・アプリケーションのような低消費電力ウェアラブル・デバイスに最適です。このデザインは、1 セル用の超低消費電力リチウムイオン・リニア・チャージャや、高集積の Qi 準拠ワイヤレス・パワー・レシーバ、コスト効率の優れた電圧 / 電流保護 IC、センス抵抗内蔵のシステム側のバッテリ残量計、LCD ディスプレイ・デバイスに最大 28V を出力する昇圧回路を搭載しています。

このデザインは小型サイズ (20mm x 29mm) PCB (...)

設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
PICOSTAR (YJE) 6 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

ビデオ