CSD83325L

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、デュアル LGA 封止、5.9mΩ、12V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 12 Configuration Dual Common Drain Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.9 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 52 QG typ (nC) 8.4 QGD typ (nC) 1.9 QGS typ (nC) 2.2 Package (mm) LGA 2.2x1.2mm VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 0.95 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 8 ID - package limited (A) 8 Logic level Yes
VDS (V) 12 Configuration Dual Common Drain Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 5.9 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 52 QG typ (nC) 8.4 QGD typ (nC) 1.9 QGS typ (nC) 2.2 Package (mm) LGA 2.2x1.2mm VGS (V) 10 VGSTH typ (V) 0.95 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 8 ID - package limited (A) 8 Logic level Yes
  • Common Drain Configuration
  • Low-On Resistance
  • Small Footprint of 2.2 mm × 1.15 mm
  • Lead Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Gate ESD Protection
  • Common Drain Configuration
  • Low-On Resistance
  • Small Footprint of 2.2 mm × 1.15 mm
  • Lead Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Gate ESD Protection

This 12-V, 9.9-mΩ, 2.2-mm × 1.15-mm LGA Dual NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance and gate charge in a small footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery pack applications in small handheld devices.

This 12-V, 9.9-mΩ, 2.2-mm × 1.15-mm LGA Dual NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance and gate charge in a small footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery pack applications in small handheld devices.

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート CSD83325L 12-V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFET データシート (Rev. B) PDF | HTML 2017年 2月 16日
アプリケーション・ノート MOSFET Support and Training Tools PDF | HTML 2022年 8月 29日
アプリケーション・ノート Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
その他の技術資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
技術記事 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
設計ガイド Design Summary FemtoFET SMT (Rev. D) 2016年 7月 7日
アプリケーション・ノート Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 2016年 4月 19日
技術記事 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技術記事 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日

設計および開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

シミュレーション・モデル

CSD83325L Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM144B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
計算ツール

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 同期降圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機

サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
リファレンス・デザイン

PMP4496 — USB-C DFP Power Bank、入力高速チャージャ付、リファレンス・デザイン

PMP4496 is a power bank reference design with a single USB type C dual role port (DRP). It can perform as a SINK or SOURCE. Role is automatically determined according to the external device attached. Fast charger input is also supported to save more charging time.
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-00712 — スマートウォッチ電池管理ソリューション・リファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、スマート・ウォッチ用バッテリ・マネージメント・ソリューション (BMS) に適しています。このデザインは、スマートウォッチ・アプリケーションのような低消費電力ウェアラブル・デバイスに最適です。このデザインは、1 セル用の超低消費電力リチウムイオン・リニア・チャージャや、高集積の Qi 準拠ワイヤレス・パワー・レシーバ、コスト効率の優れた電圧 / 電流保護 IC、センス抵抗内蔵のシステム側のバッテリ残量計、LCD ディスプレイ・デバイスに最大 28V を出力する昇圧回路を搭載しています。

このデザインは小型サイズ (20mm x 29mm) PCB (...)

回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
(YJE) 6 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

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