CSD87312Q3E 3mm x 3mm のデュアル・コモン・ソース SON 封止、38mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET | DPA | 8 | -55 to 150 package image

CSD87312Q3E アクティブ

3mm x 3mm のデュアル・コモン・ソース SON 封止、38mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

アクティブ custom-reels カスタム カスタム リールが可能な場合があります

価格

数量 価格
+

品質に関する情報

定格 Catalog
RoHS 非課税
REACH 影響あり
リード端子の仕上げ / ボールの原材料 NIPDAU
MSL rating / リフローピーク温度 Level-1-260C-UNLIM
品質、信頼性
、パッケージングの情報

記載されている情報:

  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
表示またはダウンロード
製造に関する追加情報

記載されている情報:

  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点
表示

輸出分類

*参考用

  • US ECCN (米国輸出規制分類番号):EAR99

パッケージ情報

パッケージ | ピン数 VSON (DPA) | 8
動作温度範囲 (℃) -55 to 150
パッケージ数量 | キャリア 2,500 | LARGE T&R

CSD87312Q3E の特徴

  • Common Source Connection
  • Ultra Low Drain to Drain On-Resistance
  • Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic Package
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

CSD87312Q3E に関する概要

The CSD87312Q3E is a 30V common-source, dual N-channel device designed for adaptor/USB input protection. This SON 3.3 x 3.3mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.

価格

数量 価格
+

キャリア オプション

パーツの数量に応じて、リール全体、カスタム リール、カット テープ、チューブ、トレイを含め、さまざまなキャリア オプションを選択できます。

カスタム リールとは、ご注文の数量に正確に一致するように 1 本のリールからカットした一定の長さのテープのことであり、ロット コードと日付コードのトレーサビリティを維持できます。業界標準に従い、真鍮製のスペーサーを使用し、カット済みテープの両側に 1 本の 18 インチ (45cm) フラット リーダー (先行) テープと、1 本の 18 インチ (45cm) フラット トレーラ (後続) テープを取り付けた状態であり、自動アセンブリ マシンに直接供給することができます。カスタム リールをご注文になった場合、リール処理料金がかかります。

カット テープとは、リールから切り離した一定の長さのテープのことです。ご注文の数量にするために、納品時に複数のカット テープまたは複数の箱に分割されることがあります。

在庫状況により、多くの場合、チューブトレイ梱包デバイスは、箱、またはチューブやトレイに梱包された形態で出荷されます。すべてのテープ、チューブ、またはサンプル ボックスは、TI 社内の静電気放電 (ESD) 保護と湿度感度レベル (MSL) 保護の要件に従って梱包してあります。

詳細はこちら

ロットと日付コードの選択が可能な場合があります。

カートにご希望の数量を追加し、チェックアウト プロセスを開始すると、既存の在庫からロットまたは日付コードを選択できる各種オプションが表示されます。

詳細はこちら