パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 SOIC (DW) | 16 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 40 | TUBE |
ISO5851 の特徴
- V CM = 1500V での最小同相過渡耐性 (CMTI)：100kV/µs
- 2.5A ピーク・ソースおよび 5A ピーク・シンク電流
- 短い伝搬遅延：76ns (標準値)、 110ns (最大値)
- 2A のアクティブ・ミラー・クランプ
- 出力短絡クランプ
- 不飽和化検出時のフォルト・アラームは FLT により通知され、 RST によりリセット
- 入出力低電圧誤動作防止 (UVLO)：レディ (RDY) ピンによる標示付き
- 低電源またはフローティング入力時のアクティブ出力プルダウンおよびデフォルト Low 出力
- 入力電源電圧：3V～5.5V
- 出力ドライバ供給電圧：15V～30V
- CMOS 互換の入力
- 20ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
- 動作温度：-40℃～+125℃ (周囲)
- 絶縁サージ耐久電圧 12800V PK
- 安全関連の認定：
- 8000V PK V IOTM および 2121V PK V IORM の、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 準拠の強化絶縁
- UL1577 準拠で 5700V RMS において 1 分間の絶縁
- CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、および IEC 60601-1 最終機器標準
- EN 61010-1 および EN 60950-1 準拠の TUV 認定
- GB4943.1-2011 CQC 認定
ISO5851 に関する概要
ISO5851 は、IGBT および MOSFET 用の 5.7kV RMS、強化絶縁型ゲート・ドライバで、2.5A ソースおよび 5A シンク電流を持ちます。入力側は、単一の 3V および 5.5V 電源で動作します。出力側では、最小 15V から最大 30V までの電源電圧範囲が使用できます。2 つの相補 CMOS 入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が 76ns と短いため、出力ステージを正確に制御できます。
内部不飽和化 (DESAT) フォルト検出により、IGBT が過負荷状況にあることが認識されます。DESAT を検出すると、ゲート・ドライバ出力が V EE2 ポテンシャルまで Low に駆動され、IGBT はただちにオフになります。
不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側の FLT 出力が Low になって、アイソレータ入力がブロックされます。この FLT 出力状況はラッチされ、 RST 入力の Low アクティブのパルスによりリセットできます。
バイポーラ電源による通常動作時に IGBT がオフになると、出力は V EE2 にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況で IGBT が動的にオンになることが防止されます。
不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側の FLT 出力が Low になって、アイソレータ入力がブロックされます。この FLT 出力状況はラッチされ、 RST 入力の Low アクティブのパルスによりリセットできます。
バイポーラ電源による通常動作時に IGBT がオフになると、出力は V EE2 にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況で IGBT が動的にオンになることが防止されます。
ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する 2 つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合は RDY 出力が Low になり、そうでない場合はこの出力が High になります。
ISO5851 は、16 ピンの SOIC パッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃～+125℃の周囲温度範囲について規定されています。