LM258-N
- 8 バンプの DSBGA チップ・サイズ・パッケージで供給 (AN-1112、SNVA009 を参照)
- ユニティ・ゲインのため内部的に周波数を補償
- 大きい DC 電圧ゲイン：100dB
- 広い帯域幅 (ユニティ・ゲイン)：1MHz (温度補償済み)
- 広い電源電圧範囲：
- 単一電源：3V～32V
- またはデュアル電源：±1.5V～±16V
- 非常に低い電源消費電流 (500µA) - 本質的に電源電圧の値には無関係
- 低い入力オフセット電圧：2mV
- グランドを含む入力同相電圧範囲
- 差動入力電圧範囲が電源電圧と同じ
- 大きな出力電圧振幅
- 独自の特性：
- リニア・モードでは、単一電源電圧のみで動作していても、入力同相電圧範囲はグランドを含み、出力電圧もグランドまでスイングできます。
- ユニティ・ゲインのクロス周波数を温度補償
- 入力バイアス電流も温度補償
- 利点：
- 2 つの内部補償付きオペアンプ
- デュアル電源が不要
- 直接 GND レベル近くまでセンシング可能、VOUT も GND レベルまで遷移可能
- すべての形式のロジックと互換
- バッテリ動作に適した消費電力
LM158 シリーズは、2 つの独立した高ゲインの内部周波数補償付きオペアンプで構成され、広い電圧範囲にわたって単一電源で動作するように特に設計されています。分割電源からも動作でき、低消費電力で、電源からの消費電流は電源電圧の大きさに依存しません。
応用分野として、トランスデューサ・アンプ、DC ゲイン・ブロック、各種の従来型オペアンプ回路があり、これらを単一電源システムで、より簡単に実装できます。たとえば、LM158 シリーズは、デジタル・システムで使用される標準の 3.3V 電源電圧で直接動作し、追加の ±15V 電源の必要なしに、必要なインターフェイス電子回路を簡単に提供できます。
LM358 と LM2904 は TI の DSBGA パッケージ技術を使用したチップ・サイズ・パッケージ (8 バンプ DSBGA) で供給されます。
技術資料
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| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | LMx58-N 低消費電力、デュアル・オペアンプ データシート (Rev. J 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.J) | PDF | HTML | 2022/05/05 |
| アプリケーション・ノート | Design Guidelines for Devices with LM324/LM358 Cores (Rev. B) | PDF | HTML | 2023/07/19 | |||
| e-Book（PDF） | The Signal - オペアンプ設計ブログ集 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2018/03/23 | |
| アプリケーション・ノート | AN-116 Use the LM158/LM258/LM358 Dual, Single Supply Op Amp (Rev. B) | 2013/04/23 |
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