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-25℃ ~ 85℃ で動作、デュアル、30V、700kHz、オフセット電圧が 3mV のオペアンプ

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比較対象デバイスにアップグレード機能を搭載した、ドロップ・イン代替製品。
LM358B アクティブ -40℃ ~ 85℃ 動作、デュアル、36V、1.2MHz、オフセット電圧が 3mV のオペアンプ Pin-to-pin upgrade with improved performance and lower 1ku price.

製品詳細

Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 30 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 3 Rail-to-rail In to V- GBW (typ) (MHz) 0.7 Slew rate (typ) (V/µs) 0.3 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 3 Iq per channel (typ) (mA) 0.35 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 40 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -25 to 85 Offset drift (typ) (µV/°C) 7 Input bias current (max) (pA) 80000 CMRR (typ) (dB) 80 Iout (typ) (A) 0.03 Architecture Bipolar Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 0 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.5 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.005 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -2
Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 30 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 3 Rail-to-rail In to V- GBW (typ) (MHz) 0.7 Slew rate (typ) (V/µs) 0.3 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 3 Iq per channel (typ) (mA) 0.35 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 40 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -25 to 85 Offset drift (typ) (µV/°C) 7 Input bias current (max) (pA) 80000 CMRR (typ) (dB) 80 Iout (typ) (A) 0.03 Architecture Bipolar Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 0 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.5 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.005 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -2
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) PDIP (P) 8 92.5083 mm² (9.81 mm × 9.43 mm) VSSOP (DGK) 8 14.7 mm² (3 mm × 4.9 mm)
  • 3V~36V の広い電源電圧範囲 (B、BA バージョン)
  • 静止電流:300µA/チャネル (B、BA バージョン)
  • ユニティ ゲイン帯域幅:1.2MHz (B、BA バージョン)
  • 同相入力電圧範囲にグランドが含まれるため、グランド近くの直接検出が可能
  • 25℃で最大 2mV の入力オフセット電圧 (BA バージョン)
  • 25℃で最大 3mV の入力オフセット電圧 (A、B バージョン)
  • RF および EMI フィルタ内蔵 (B、BA バージョン)
  • MIL-PRF-38535 準拠の製品については、特に記述のない限り、すべてのパラメータはテスト済みです。その他のすべての製品については、量産プロセスにすべてのパラメータのテストが含まれているとは限りません。
  • 3V~36V の広い電源電圧範囲 (B、BA バージョン)
  • 静止電流:300µA/チャネル (B、BA バージョン)
  • ユニティ ゲイン帯域幅:1.2MHz (B、BA バージョン)
  • 同相入力電圧範囲にグランドが含まれるため、グランド近くの直接検出が可能
  • 25℃で最大 2mV の入力オフセット電圧 (BA バージョン)
  • 25℃で最大 3mV の入力オフセット電圧 (A、B バージョン)
  • RF および EMI フィルタ内蔵 (B、BA バージョン)
  • MIL-PRF-38535 準拠の製品については、特に記述のない限り、すべてのパラメータはテスト済みです。その他のすべての製品については、量産プロセスにすべてのパラメータのテストが含まれているとは限りません。

LM358B および LM2904B は、業界標準のオペアンプ LM358 および LM2904 の次世代バージョンであり、2 つの高電圧 (36V) オペアンプを搭載しています。これらのデバイスは、小さいオフセット (標準値 300µV)、グランドまでの同相入力範囲、大きい差動入力電圧耐量などの特長を備えており、コストの制約が厳しい用途で大きな価値を提供します。

LM358B および LM2904B オペアンプは、ユニティ ゲイン安定性、最大 3mV の低いオフセット電圧 (LM358BA および LM2904BA では最大 2mV)、1 つのアンプの静止電流が 300µA (標準値) 未満などの拡張機能により、回路設計を簡素化します。ESD 耐性が高く (2kV、HBM)、EMI および RF フィルタを内蔵した LM358B および LM2904B は、極めて過酷な環境のアプリケーションに適しています。

LM358B および LM2904B アンプは、SOIC、TSSOP、VSSOP などの業界標準パッケージのほか、SOT23-8、 などのマイクロサイズ パッケージで供給されます。

LM358B および LM2904B は、業界標準のオペアンプ LM358 および LM2904 の次世代バージョンであり、2 つの高電圧 (36V) オペアンプを搭載しています。これらのデバイスは、小さいオフセット (標準値 300µV)、グランドまでの同相入力範囲、大きい差動入力電圧耐量などの特長を備えており、コストの制約が厳しい用途で大きな価値を提供します。

LM358B および LM2904B オペアンプは、ユニティ ゲイン安定性、最大 3mV の低いオフセット電圧 (LM358BA および LM2904BA では最大 2mV)、1 つのアンプの静止電流が 300µA (標準値) 未満などの拡張機能により、回路設計を簡素化します。ESD 耐性が高く (2kV、HBM)、EMI および RF フィルタを内蔵した LM358B および LM2904B は、極めて過酷な環境のアプリケーションに適しています。

LM358B および LM2904B アンプは、SOIC、TSSOP、VSSOP などの業界標準パッケージのほか、SOT23-8、 などのマイクロサイズ パッケージで供給されます。

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技術資料

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