パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 HVSSOP (DGN) | 8 |
| 動作温度範囲 (℃) |
| パッケージ数量 | キャリア 1,000 | SMALL T&R |
LM5112 の特徴
- LM5112-Q1は車載アプリケーション用に認定済み
- AEC-Q100グレード1認定済み
- 車載用グレードのフローで製造
- CMOSとバイポーラの複合出力によって出力電流の変動を低減
- 7Aシンク、3Aソース電流
- 短い伝搬時間: 25ns (標準値)
- 短い立ち上がり/立ち下がり時間: 2nF負荷で
14nsまたは12ns - 反転および非反転入力により、単一のデバイスでどちらの構成も可能
- 電源レールの低電圧誤動作防止保護
- 専用の入力グランド・ピン(IN_REF)により
分割電源または単一電源で動作 - 電力拡張された6ピンのWSONパッケージ
(3mm×3mm)または放熱特性の優れた
MSOP-PowerPADパッケージ - VCCからVEE(入力グランドに対して負電圧)までの出力スイング
アプリケーション
- DC-DCスイッチ・モード電源
- AC-DCスイッチ・モード電源
- ソーラー・マイクロインバータ
- ソレノイドおよびモータ・ドライブ
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LM5112 に関する概要
LM5112デバイスはMOSFETゲート・ドライバで、高いピーク・ゲート・ドライブ電流を供給し、小型の6ピンWSONパッケージ(SOT-23と同等の占有面積)または8ピンの露出パッド付きMSOPパッケージに搭載され、高い周波数での動作に必要な消費電力の改善が加えられています。複合出力ドライバのステージではMOSとバイポーラ・トランジスタが並列で動作し、容量性負荷から7Aを超えるピーク電流をシンクします。MOSとバイポーラ・デバイスの固有の特性を組み合わせることで、電圧および温度による駆動電流の変動が低減されます。低電圧誤動作防止保護が実装され、ゲートのターンオン電圧の不足によるMOSFETの損傷を防ぎます。LM5112デバイスには反転と非反転の両方の入力があり、単一のデバイス・タイプで反転と非反転のゲート・ドライブの要件を満たすことができます。