データシート
TLE2022AM-MIL
- 消費電流:300µA、最大値
- 高いユニティ ゲイン帯域幅:2MHz
- 高いスルーレート:0.65V/µs
- 軍用温度範囲全体にわたる電源電流の変化:VS = ± 15V で 10µA
- 5V 単一電源と ±15V の両方で動作が規定されています
- 位相反転防止
- 高いオープン ループ ゲイン: 6.5V/µV (136dB)
- 低いオフセット電圧:100µV、最大値
- 時間によるオフセット電圧ドリフト: 0.005µV/mo
- 低い入力バイアス電流:50nA、最大値
- 低いノイズ電圧:19nV/√Hz
TLE2021xM、TLE2022xM、TLE2024xM (TLE202xM) デバイスは、テキサス インスツルメンツの新しい Excalibur プロセスを使用した、高精度、高速、低消費電力のオペアンプです。これらのデバイスは、OP21 の最良の機能と、高度に改善されたスルー レートとユニティ ゲイン帯域幅を組み合わせています。
相補的バイポーラ Excalibur プロセスでは、絶縁された垂直 PnP トランジスタを使用することで、類似のデバイスに比べてユニティ ゲイン帯域幅とスルー レートが大幅に向上します。
このプロセスにバイアス回路を追加すると、時間と温度の両方で非常に安定したパラメータが得られます。したがって、高精度デバイスは、温度変化や経年使用においても、高精度デバイスとしての性能を維持します。
この優れた DC 性能と、負のレールを含む同相入力電圧範囲を兼ね備えた本デバイスは、単電源または分割電源構成の低レベルの信号コンディショニング アプリケーションに最適です。さらに、これらのデバイスには位相反転防止回路が搭載されているため、いずれかの入力が負の電源レールを下回っても、出力状態の予期しない変化を解消します。
高密度システム アプリケーション向けのセラミック DIP バージョンやチップキャリア バージョンなど、さまざまなオプションが利用可能です。
M 接尾辞デバイスは、-55℃ ~ +125℃ の軍用温度範囲全体で動作が規定されています。
技術資料
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| * | データシート | TLE202xM Excalibur、高速、低消費電力、高精度オペ アンプ データシート (Rev. E 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.E) | PDF | HTML | 2025年 10月 13日 |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点