ホーム アンプ オペアンプ (OP アンプ) 高精度オペアンプ (Vos が 1mV 未満)

TLE2022AM-MIL

アクティブ

高速、低消費電力、高精度デュアル・オペアンプ

製品詳細

Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 40 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 4 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 0.4 Offset drift (typ) (µV/°C) 2 Input bias current (max) (pA) 70000 GBW (typ) (MHz) 1.7 Slew rate (typ) (V/µs) 0.5 Rail-to-rail In to V- Iq per channel (typ) (mA) 0.225 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 17 CMRR (typ) (dB) 102 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125 Iout (typ) (A) 0.003 Architecture Bipolar Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.7 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.7
Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 40 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 4 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 0.4 Offset drift (typ) (µV/°C) 2 Input bias current (max) (pA) 70000 GBW (typ) (MHz) 1.7 Slew rate (typ) (V/µs) 0.5 Rail-to-rail In to V- Iq per channel (typ) (mA) 0.225 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 17 CMRR (typ) (dB) 102 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125 Iout (typ) (A) 0.003 Architecture Bipolar Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.7 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.7
CDIP (JG) 8 64.032 mm² 9.6 x 6.67 LCCC (FK) 20 79.0321 mm² 8.89 x 8.89
  • 消費電流:300µA、最大値
  • 高いユニティ ゲイン帯域幅:2MHz
  • 高いスルーレート:0.65V/µs
  • 軍用温度範囲全体にわたる電源電流の変化:VS = ± 15V で 10µA
  • 5V 単一電源と ±15V の両方で動作が規定されています
  • 位相反転防止
  • 高いオープン ループ ゲイン: 6.5V/µV (136dB)
  • 低いオフセット電圧:100µV、最大値
  • 時間によるオフセット電圧ドリフト: 0.005µV/mo
  • 低い入力バイアス電流:50nA、最大値
  • 低いノイズ電圧:19nV/√Hz
  • 消費電流:300µA、最大値
  • 高いユニティ ゲイン帯域幅:2MHz
  • 高いスルーレート:0.65V/µs
  • 軍用温度範囲全体にわたる電源電流の変化:VS = ± 15V で 10µA
  • 5V 単一電源と ±15V の両方で動作が規定されています
  • 位相反転防止
  • 高いオープン ループ ゲイン: 6.5V/µV (136dB)
  • 低いオフセット電圧:100µV、最大値
  • 時間によるオフセット電圧ドリフト: 0.005µV/mo
  • 低い入力バイアス電流:50nA、最大値
  • 低いノイズ電圧:19nV/√Hz

TLE2021xM、TLE2022xM、TLE2024xM (TLE202xM) デバイスは、テキサス インスツルメンツの新しい Excalibur プロセスを使用した、高精度、高速、低消費電力のオペアンプです。これらのデバイスは、OP21 の最良の機能と、高度に改善されたスルー レートとユニティ ゲイン帯域幅を組み合わせています。

相補的バイポーラ Excalibur プロセスでは、絶縁された垂直 PnP トランジスタを使用することで、類似のデバイスに比べてユニティ ゲイン帯域幅とスルー レートが大幅に向上します。

このプロセスにバイアス回路を追加すると、時間と温度の両方で非常に安定したパラメータが得られます。したがって、高精度デバイスは、温度変化や経年使用においても、高精度デバイスとしての性能を維持します。

この優れた DC 性能と、負のレールを含む同相入力電圧範囲を兼ね備えた本デバイスは、単電源または分割電源構成の低レベルの信号コンディショニング アプリケーションに最適です。さらに、これらのデバイスには位相反転防止回路が搭載されているため、いずれかの入力が負の電源レールを下回っても、出力状態の予期しない変化を解消します。

高密度システム アプリケーション向けのセラミック DIP バージョンやチップキャリア バージョンなど、さまざまなオプションが利用可能です。

M 接尾辞デバイスは、-55℃ ~ +125℃ の軍用温度範囲全体で動作が規定されています。

TLE2021xM、TLE2022xM、TLE2024xM (TLE202xM) デバイスは、テキサス インスツルメンツの新しい Excalibur プロセスを使用した、高精度、高速、低消費電力のオペアンプです。これらのデバイスは、OP21 の最良の機能と、高度に改善されたスルー レートとユニティ ゲイン帯域幅を組み合わせています。

相補的バイポーラ Excalibur プロセスでは、絶縁された垂直 PnP トランジスタを使用することで、類似のデバイスに比べてユニティ ゲイン帯域幅とスルー レートが大幅に向上します。

このプロセスにバイアス回路を追加すると、時間と温度の両方で非常に安定したパラメータが得られます。したがって、高精度デバイスは、温度変化や経年使用においても、高精度デバイスとしての性能を維持します。

この優れた DC 性能と、負のレールを含む同相入力電圧範囲を兼ね備えた本デバイスは、単電源または分割電源構成の低レベルの信号コンディショニング アプリケーションに最適です。さらに、これらのデバイスには位相反転防止回路が搭載されているため、いずれかの入力が負の電源レールを下回っても、出力状態の予期しない変化を解消します。

高密度システム アプリケーション向けのセラミック DIP バージョンやチップキャリア バージョンなど、さまざまなオプションが利用可能です。

M 接尾辞デバイスは、-55℃ ~ +125℃ の軍用温度範囲全体で動作が規定されています。

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技術資料

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* データシート TLE202xM Excalibur、高速、低消費電力、高精度オペ アンプ データシート (Rev. E 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.E) PDF | HTML 2025年 10月 13日

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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