TLE2024
- 消費電流：300µA、最大値
- 高いユニティ ゲイン帯域幅：2MHz
- 高スルーレート：0.65V/µs
- 5V 単一電源と ±15V の両方で動作が規定されています
- 位相反転防止
- 高いオープン ループ ゲイン：6.5V/µV (136dB)
- 低いオフセット電圧：100µV、最大値
- 低い入力バイアス電流：50nA、最大値
- 低いノイズ電圧：19nV/√Hz
TLE2021、TLE2022、TLE2024 (TLE202x) デバイスは、テキサス インスツルメンツの最新のバイポーラ プロセスを使用した、高精度、高速、低消費電力のオペ アンプです。これらのデバイスは、OP21 の最良の機能と、高度に改善されたスルー レートとユニティ ゲイン帯域幅を組み合わせています。
相補的バイポーラ プロセスでは、絶縁された垂直 PnP トランジスタを使用することで、類似のデバイスに比べてユニティ ゲイン帯域幅とスルー レートが大幅に向上します。
このプロセスにバイアス回路を追加すると、時間と温度の両方で非常に安定したパラメータが得られます。したがって、高精度デバイスは、温度変化や経年使用においても、高精度デバイスとしての性能を維持します。
この優れた DC 性能と、負のレールを含む同相入力電圧範囲を兼ね備えた本デバイスは、単電源または分割電源構成の低レベルの信号コンディショニング アプリケーションに最適です。さらに、これらのデバイスには位相反転防止回路が搭載されているため、いずれかの入力が負の電源レールを下回っても、出力状態の予期しない変化を解消します。
高密度システム アプリケーション向けのスモールアウトライン バージョンとチップキャリア バージョンなど、さまざまなオプションが利用可能です。
接尾辞 C のデバイスには 0℃～70℃、接尾辞 I のデバイスには -40℃～85℃、接尾辞 M のデバイスには防衛用温度範囲 -55℃～+125℃の動作がそれぞれ特性付けられています。
技術資料
| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | TLE202x 高速、低消費電力、バイポーラ高精度オペ アンプ | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026/04/17 | |
| e-Book（PDF） | The Signal - オペアンプ設計ブログ集 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2018/03/23 | |
| アプリケーション・ノート | TLE202x EMI Immunity Performance (Rev. A) | 2012/11/05 |
設計と開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
AMP-PDK-EVM — アンプ パフォーマンス開発キットの評価基板
このアンプ パフォーマンス開発キット (PDK) は、オペアンプの一般的なパラメータをテストするための評価基板 (EVM) キットであり、ほとんどのオペアンプやコンパレータと互換性があります。この評価基板キットは、パッケージのニーズに適した、さまざまなソケット付きドーターカード オプションを搭載したメイン ボードで構成されており、エンジニアはデバイスの性能を迅速に評価および検証できます。
AMP-PDK-EVM キットは、業界標準の最も一般的な次の 5 種類のパッケージをサポートしています。
- D (SOIC-8 と SOIC-14)
- PW (TSSOP-14)
- DGK (VSSOP-8)
- (...)
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| PDIP (N) | 14 | Ultra Librarian |
| SOIC (DW) | 16 | Ultra Librarian |