パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 SOIC (D) | 8 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 2,500 | LARGE T&R |
TPS28225 の特徴
- 14ns の適応型デッド タイムで 2 個の N チャネル MOSFET を駆動
- 広いゲート駆動電圧範囲：4.5V～8.8V (7V～8Vで最大効率)
- 広いパワー システム トレイン入力電圧範囲：3V～27V
- 広い入力 PWM 信号範囲：2.0V～13.2V 振幅
- 1 相あたり 40A 以上の電流で MOSFET を駆動可能
- 高周波動作：14ns の伝搬遅延と 10ns の立ち上がり / 立ち下がり時間により、FSW – 2MHz が可能
- 30ns未満の入力 PWM パルスを伝播可能
- ローサイド ドライバのシンク オン抵抗 (0.4Ω) により、dV/dTに起因する貫通電流を防止
- 3ステートPWM入力による電源段のシャットダウン
- イネーブル（入力）信号とパワー グッド（出力）信号を同じピンに割り当てることでスペースを節約
- サーマル シャットダウン
- UVLO保護
- 内部ブートストラップ ダイオード
- 経済的な SOIC-8 および放熱強化された 3mm × 3mm VSON-8 パッケージ
- 一般的な3ステート入力ドライバを高性能で置き換え可能
TPS28225 に関する概要
TPS28225 は、適応型デッド タイム制御機能を備えた、N チャネル相補型パワー MOSFET 用の高速ドライバです。さまざまな種類の1相および多相の高電流DC-DCコンバータとともに使用できるよう最適化されています。TPS28225 は、高効率、小型、低 EMI 放射を実現するソリューションです。
この効率は、最大 8.8V のゲート駆動電圧、14ns の適応型デッド タイム制御、14ns の伝播遅延、2A ソースおよび 4A シンクの高電流駆動能力によって実現されています。ローサイド ゲート ドライバの 0.4Ω のインピーダンスによってパワー MOSFET のゲートをスレッショルド未満に保持し、高い dV/dt 位相ノード遷移で貫通電流が生じないようにしています。内部ダイオードによって充電されるブートストラップ コンデンサにより、NチャネルMOSFETをハーフブリッジ構成で使用することができます。