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TPS43060

アクティブ

広い入力電圧範囲、7.5V ゲート・ドライブ、標準 FET 向け、低静止電流 (Iq)、58V、同期整流昇圧コントローラ

製品詳細

Vin (Min) (V) 4.5 Vin (Max) (V) 40 Vout (Min) (V) 4.5 Vout (Max) (V) 60 Regulated outputs (#) 1 Switching frequency (Min) (kHz) 50 Switching frequency (Max) (kHz) 1000 Iq (Typ) (mA) 0.6 Features Bypass Mode Duty cycle (Max) (%) 95 Rating Catalog
Vin (Min) (V) 4.5 Vin (Max) (V) 40 Vout (Min) (V) 4.5 Vout (Max) (V) 60 Regulated outputs (#) 1 Switching frequency (Min) (kHz) 50 Switching frequency (Max) (kHz) 1000 Iq (Typ) (mA) 0.6 Features Bypass Mode Duty cycle (Max) (%) 95 Rating Catalog
WQFN (RTE) 16 9 mm² 3 x 3
  • 58-V Maximum Output Voltage
  • 4.5 to 38 V (40 V Absolute Max)
    VIN Range
  • TPS43060: 7.5-V Gate Drive Optimized
    for Standard Threshold MOSFETs
  • TPS43061: 5.5-V Gate Drive Optimized
    for Low Qg NexFET™ Power MOSFETs
  • Current-Mode Control With Internal
    Slope Compensation
  • Adjustable Frequency from 50 kHz to
    1 MHz
  • Synchronization Capability to External
    Clock
  • Adjustable Soft-Start Time
  • Inductor DCR or Resistor Current Sensing
  • Output Voltage Power-Good Indicator
  • ±0.8% Feedback Reference Voltage
  • 5-µA Shutdown Supply Current
  • 600-µA Operating Quiescent Current
  • Integrated Bootstrap Diode (TPS43061)
  • Cycle-by-Cycle Current Limit and Thermal
    Shutdown
  • Adjustable Undervoltage Lockout (UVLO)
    and Output Overvoltage Protection
  • Small 16-Pin WQFN (3 mm × 3 mm)
    Package With PowerPAD™
  • –40°C to 150°C Operating
    TJ Range
  • 58-V Maximum Output Voltage
  • 4.5 to 38 V (40 V Absolute Max)
    VIN Range
  • TPS43060: 7.5-V Gate Drive Optimized
    for Standard Threshold MOSFETs
  • TPS43061: 5.5-V Gate Drive Optimized
    for Low Qg NexFET™ Power MOSFETs
  • Current-Mode Control With Internal
    Slope Compensation
  • Adjustable Frequency from 50 kHz to
    1 MHz
  • Synchronization Capability to External
    Clock
  • Adjustable Soft-Start Time
  • Inductor DCR or Resistor Current Sensing
  • Output Voltage Power-Good Indicator
  • ±0.8% Feedback Reference Voltage
  • 5-µA Shutdown Supply Current
  • 600-µA Operating Quiescent Current
  • Integrated Bootstrap Diode (TPS43061)
  • Cycle-by-Cycle Current Limit and Thermal
    Shutdown
  • Adjustable Undervoltage Lockout (UVLO)
    and Output Overvoltage Protection
  • Small 16-Pin WQFN (3 mm × 3 mm)
    Package With PowerPAD™
  • –40°C to 150°C Operating
    TJ Range

The TPS43060 and TPS43061 are low IQ current-mode synchronous boost controllers with wide-input voltage range from 4.5 to 38 V (40 V absolute max) and boosted output range up to 58 V. Synchronous rectification enables high-efficiency for high-current applications, and lossless inductor DCR sensing further improves efficiency. The resulting low-power losses combined with a 3-mm × 3-mm WQFN-16 package with PowerPAD™ supports high power-density and high-reliability boost converter solutions over extended (–40°C to 150°C) temperature range.

The TPS43060 includes a 7.5-V gate drive supply, which is suitable to drive a broad range of MOSFETs. The TPS43061 has a 5.5-V gate drive supply and driver strength optimized for low Qg NexFET power MOSFETs. Also, TPS43061 provides an integrated bootstrap diode for the high-side gate driver to reduce the external parts count.

The TPS43060 and TPS43061 are low IQ current-mode synchronous boost controllers with wide-input voltage range from 4.5 to 38 V (40 V absolute max) and boosted output range up to 58 V. Synchronous rectification enables high-efficiency for high-current applications, and lossless inductor DCR sensing further improves efficiency. The resulting low-power losses combined with a 3-mm × 3-mm WQFN-16 package with PowerPAD™ supports high power-density and high-reliability boost converter solutions over extended (–40°C to 150°C) temperature range.

The TPS43060 includes a 7.5-V gate drive supply, which is suitable to drive a broad range of MOSFETs. The TPS43061 has a 5.5-V gate drive supply and driver strength optimized for low Qg NexFET power MOSFETs. Also, TPS43061 provides an integrated bootstrap diode for the high-side gate driver to reduce the external parts count.

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技術資料

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設計および開発

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評価ボード

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回路図: PDF
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WQFN (RTE) 16 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材料 (内容)
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

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サポートとトレーニング

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