パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 VSON (DRB) | 8 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 3,000 | LARGE T&R |
TPS737-Q1 の特徴
- 車載アプリケーションに対応
- 下記内容で AEC-Q100 認定済み
- デバイス温度グレード 1：動作時周囲温度範囲 -40℃～125℃
- デバイス HBM ESD 分類レベル 2
- デバイス CDM ESD 分類レベル C4A
- 1µF 以上のセラミック出力コンデンサで安定
- 入力電圧範囲：2.2V～5.5V
- 非常に低いドロップアウト電圧：1A で 130mV (標準値)
- 1µF の出力コンデンサだけでも非常に優れた負荷過渡応答
- NMOS トポロジにより、低い逆リーク電流を実現
- 1% の初期精度
- ライン、負荷、温度の全範囲にわたって 3% の総合精度
- シャットダウン・モードでの静止電流：20nA 未満 (標準値)
- サーマル・シャットダウンおよび電流制限によるフォルト保護
- 複数の出力電圧バージョンで供給
TPS737-Q1 に関する概要
TPS737xx-Q1 ファミリのリニア低ドロップアウト (LDO) 電圧レギュレータは NMOS パス素子を電圧フォロワ構成で使用しています。このトポロジは出力コンデンサの値と ESR の影響を比較的受けにくいため、広範な負荷構成に対応できます。小さな 1µF のセラミック出力コンデンサを使用した場合でも、負荷過渡応答が非常に優れています。NMOS トポロジを使用すると、ドロップアウトも大幅に低減できます。
TPS737xx-Q1 ファミリは、非常に小さいドロップアウト電圧と小さなグランド・ピン電流を実現すると同時に、先進の BiCMOS プロセスを使用することで高い精度を達成しています。待機時の消費電流は 20nA 未満であり、携帯型アプリケーションに理想的です。これらのデバイスは、サーマル・シャットダウンとフォールドバック電流制限で保護されています。